Организатор: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет») (МФТИ)
Модераторы:
Иванов Виктор Владимирович, директор Института квантовых технологий МФТИ
Заблоцкий Алексей Васильевич, руководитель Центра перспективной электроники Фонда перспективных исследований (ФПИ)
Цели и задачи
Обсуждение с участниками Форума перспективных тенденций мирового развития микроэлектроники на основе применений новых двумерных материалов и технологий, приводящих к новому качеству устройств и снижению стоимости производственных затрат. Формирование предложений по внедрению инновационных решений в производственные процессы предприятий микроэлектроники.
Аннотация
В последнее время производители микроэлектронных устройств всё больше внимания уделяют развитию и освоению новых материалов и технологий, обеспечивающих переход к более быстродействующим, компактным и энергоэффективным устройствам при снижении стоимости производственных затрат.
В связи с фундаментальными ограничениями при миниатюризации элементов в традиционных кремниевых технологиях, актуальным становится двумерные (2D) функциональные материалы, которые могут стать основой для нового поколения высокопроизводительных, энергоэффективных и компактных устройств микроэлектроники, включая транзисторы, сенсоры, память, мемристоры и фотонные схемы. Новые тонкоплёночные материалы с размерами слоёв менее 10 нм открывают возможности создания высокоэффективных элементов памяти, нейроморфных, светоизлучающих и фотоприёмных устройств.
Результаты проведения круглого стола позволят сделать вывод о ближайших перспективах разработок и применений новых двумерных материалов и обеспечивающих их технологий.
Приглашены к выступлению:
Вступительное слово – Заблоцкий Алексей Васильевич, ФПИ
Свинцов Дмитрий Александрович, МФТИ, тема выступления – «Новые функциональные возможности оптоэлектроники, обеспечиваемые двумерными материалами»
Тархов Михаил Александрович, ИНМЭ РАН, тема выступления уточняется
Маркеев Андрей Михайлович, МФТИ, тема выступления – «Двумерные дихалькогениды переходных металлов – новые полупроводники для микроэлектроники: перспективы и проблемы»
Мещанинов Фёдор Павлович, АО «НИИМЭ», тема выступления – «Применение методов машинного обучения в задачах предсказания электрофизических характеристик элементной базы на примере тонкоплёночных транзисторов»
Чернов Александр Игоревич, МФТИ, тема выступления –«Низкоразмерные материалы для передовой микроэлектроники: от перестраиваемых ТГц-архитектур до спинтронных ван-дер-ваальсовых полупроводников»