Круглый стол «Локализация материалов для полупроводниковой электроники». Департамент металлургии и материалов Минпромторг РФ

1 октября, 17:00-18:30
Зал №13

Организатор: Департамент металлургии и материалов Минпромторг РФ

Модератор:

• Грачёв Сергей Николаевич, заместитель директора Департамента металлургии и материалов Минпромторга России

Цели и задачи

Цель круглого стола – оценить текущее состояние сырьевой базы полупроводниковой индустрии, выявить ключевые барьеры при переходе от лабораторных разработок к промышленному производству, а также сформировать долгосрочные механизмы сквозной кооперации между участниками рынка.

Актуальные вопросы для обсуждения:

• Поиск, обоснование и разработка перспективных классов материалов для полупроводниковой электроники, способных обеспечить опережающее развитие отрасли и переход от компенсаторного импортозамещения к стратегическому технологическому суверенитету.
• Обеспечение экономической устойчивости и рыночной конкурентоспособности отечественных материалов для электронной промышленности как инструмент защиты внутреннего рынка в условиях деструктивного ценового давления со стороны зарубежных производителей.
• Валидация физико-химических и эксплуатационных свойств инновационных отечественных материалов посредством внедрения комплексных методик типовых и квалификационных испытаний для обеспечения их стандартизации и технологической безопасности при интеграции в высокотехнологичные производственные техпроцессы.
• Формирование комплексных предложений по стратегической адаптации долгосрочных целевых государственных программ к актуальным вызовам и векторам технологического развития электронной индустрии.

Аннотация

В рамках всероссийского форума «Микроэлектроника» состоится круглый стол «Локализация материалов для полупроводниковой электроники», посвящённый текущему состоянию материальной базы отечественной полупроводниковой микроэлектроники и фотоники и формированию опережающего задела.

Ведущие эксперты материаловедческой отрасли, академической науки и производственных организаций обсудят обеспечение полупроводникового производства высокочистыми веществами и функциональными материалами в контексте стратегической устойчивости электронной промышленности.

Создание замкнутых технологических цепочек внутри страны рассматривается как стартовая площадка для перехода к материалам нового поколения, которые определят облик индустрии в ближайшее десятилетие. В результате проведения круглого стола и консолидации усилий его участников ожидается выработка системных решений, направленных на создание, стандартизацию и вывод на внутренний рынок перспективных отечественных материалов полупроводниковой электроники с целью обеспечения долгосрочного технологического суверенитета и экономической устойчивости отрасли.

Приглашены к выступлению:

• Петров Дмитрий Валерьевич, заместитель генерального директора ФГБУ «Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники». Тема доклада «Особенности ведомственных требований к выполнению и приемке ОКР в радиоэлектронной промышленности. Унификация документации и процедур. О необходимости формирования единого отраслевого механизма постановки, выполнения, приемки и внедрения результатов ОКР по разработке материалов для электронной компонентной базы».
• Михаилян Ксения Юрьевна, исполнительный директор ООО «Рокор» Тема доклада «Перспективы разработки полупроводника четвертого поколения — оксида галлия (Ga2O3), а также решение ключевой технологической проблемы его получения и масштабирования — исключение использования иридиевого тигля»
• Щербинин Андрей Андреевич, начальник управления стратегического развития Российского научного фонда. Тема доклада «Использование научных заделов для создания новых материалов для электроники».
• Холодов Михаил Андреевич, начальник научно-производственной лаборатории АО «НИИ Материаловедения им. Ю.А. Малинина». Тема доклада «Производство материалов микроэлектроники и технологические барьеры при создании новых продуктов»
• Артемьев Алексей Юрьевич, заместитель директора департамента химической промышленности. Тема доклада «Отечественная химия для микроэлектроники: эффективная кооперация производителей материалов и разработчиков электронной компонентной базы в рамках программ для радиоэлектронной промышленности»
• член-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф., Иванов Сергей Викторович, директор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН. Тема доклада «Текущий статус и проблемы локализации материалов для разработки эпитаксиальных технологий гетероструктур AlInGaAsP на подложках InP в области волоконно-оптических систем и СВЧ-электроники»
• д.ф.-м.н. Цицульников Андрей Фёдорович, и. о. директора НТЦ микроэлектроники РАН. Тема доклада «Нитрид-галлиевые гетероструктуры для СВЧ и силовых транзисторов, изготовленные методом ГФЭ МОС с использованием отечественного оборудования».