Круглый стол «Локализация материалов для полупроводниковой электроники». Департамент металлургии и материалов Минпромторг РФ

1 октября, 17:00-18:30
Зал №13

Организатор: Департамент металлургии и материалов Минпромторг РФ

Модератор:

• Грачёв Сергей Николаевич, заместитель директора Департамента металлургии и материалов Минпромторга России

Цели и задачи

Цель круглого стола – оценить текущее состояние сырьевой базы полупроводниковой индустрии, выявить ключевые барьеры при переходе от лабораторных разработок к промышленному производству, а также сформировать долгосрочные механизмы сквозной кооперации между участниками рынка.

Актуальные вопросы для обсуждения:

• Поиск, обоснование и разработка перспективных классов материалов для полупроводниковой электроники, способных обеспечить опережающее развитие отрасли и переход от компенсаторного импортозамещения к стратегическому технологическому суверенитету.
• Обеспечение экономической устойчивости и рыночной конкурентоспособности отечественных материалов для электронной промышленности как инструмент защиты внутреннего рынка в условиях деструктивного ценового давления со стороны зарубежных производителей.
• Валидация физико-химических и эксплуатационных свойств инновационных отечественных материалов посредством внедрения комплексных методик типовых и квалификационных испытаний для обеспечения их стандартизации и технологической безопасности при интеграции в высокотехнологичные производственные техпроцессы.
• Формирование комплексных предложений по стратегической адаптации долгосрочных целевых государственных программ к актуальным вызовам и векторам технологического развития электронной индустрии.

Аннотация

В рамках всероссийского форума «Микроэлектроника» состоится круглый стол «Локализация материалов для полупроводниковой электроники», посвящённый текущему состоянию материальной базы отечественной полупроводниковой микроэлектроники и фотоники и формированию опережающего задела.

Ведущие эксперты материаловедческой отрасли, академической науки и производственных организаций обсудят обеспечение полупроводникового производства высокочистыми веществами и функциональными материалами в контексте стратегической устойчивости электронной промышленности.

Создание замкнутых технологических цепочек внутри страны рассматривается как стартовая площадка для перехода к материалам нового поколения, которые определят облик индустрии в ближайшее десятилетие. В результате проведения круглого стола и консолидации усилий его участников ожидается выработка системных решений, направленных на создание, стандартизацию и вывод на внутренний рынок перспективных отечественных материалов полупроводниковой электроники с целью обеспечения долгосрочного технологического суверенитета и экономической устойчивости отрасли.

Приглашены к выступлению:

• ФГБУ «Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники». Выступление посвящено механизмам интеграции отечественных материалов в сквозные технологические процессы микроэлектроники. Особое внимание уделено разработке комплексных методик типовых и квалификационных испытаний как основы стандартизации и технологического суверенитета отрасли.
• ООО «Рокор» представит на обсуждение перспективы разработки полупроводника четвертого поколения – оксида галлия (Ga2O3), а также решение ключевой технологической проблемы его получения и масштабирования – исключение использования иридия.
• Российский научный фонд в своём докладе представит механизмы целевого финансирования прикладных работ под конкретные требования квалифицированных заказчиков и промышленных предприятий с акцентом на создание готовых технологических решений для отечественной электронной промышленности.
• АО «НИИ Материаловедения им. Ю. А. Малинина» рассмотрит вопросы производства монокристаллов тербий-галлиевого граната и тербий-скандий-лютеций-алюминиевого граната для лазерных оптических изоляторов, а также разработки технологии изготовления полированных пластин фосфида галлия (GaP) и технологические барьеры при создании этого материала.
• Артемьев Алексей Юрьевич, заместитель директора департамента МинпромторгаРоссии
• Тема доклада «Отечественная химия для микроэлектроники: эффективная кооперация производителей материалов и разработчиков электронной компонентной базы в рамках программ для радиоэлектронной промышленности».
• Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН рассмотрит комплексную высокотехнологичную задачу по разработке технологий эпитаксиальных многокомпонентных гетероструктурAlInGaAsP на подложках InP для волоконно-оптических систем и СВЧ-электроники.
• АО «НИИ молекулярной электроники» / НТЦ микроэлектроники РАН представит основные особенности создания полупроводниковых гетероструктур для производства СВЧ и силовой электроники на основе GaN на подложках диаметром до 200 мм, что является ключевым шагом для снижения себестоимости силовых транзисторов и СВЧ-компонентов за счёт их интеграции в существующие кремниевые полупроводниковые производства.