Круглый стол «Перспективы создания оптических материалов и резистов для передовых литографических технологий». Секция №13. 25 сентября 15:00-16:30
р.
р.
25 сентября 15:00-16:30 Зал №13
Организатор: Секция №13 Модераторы:
Рощупкин Дмитрий Валентинович, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН, директор ФГБУН ИПТМ РАН
Бокарёв Валерий Павлович, д.т.н., начальник отдела АО «НИИМЭ»
Цели и задачи
Цель – выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественной наукой и наукоемкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы создания инновационных материалов и технологий для формирования передовой микро- и наноэлектроники как одного из базовых элементов наукоемкого технологического суверенитета нашего Отечества.
Задачи:
Материалы для изготовления фотошаблонов и оптических элементов степперов.
Резисты для процессов фотолитографии, электроннолучевой, ионнолучевой и рентгеновской литографии, наноимпринтинга, перспективы производства в России.
Аннотация
Развитие современной микро- и наноэлектроники, дальнейшая миниатюризация определяются развитием литографических процессов. Для развития данных процессов сегодня критическими являются два направления. Для фотолитографических процессов и наностеперров важным является поиск перспективных материалов для создания фотошаблонов и оптических элементов. Если для процессов с длинами волн 200-250 нм возможно использование синтетического кварца, то на длины волн менее 200 нм необходимо уже применение фторидов (CaF2, LiF ….). В обоих случаях стоит задача получения особочистых материалов, так как примеси влияют на пропускание оптического излучения. Также следует отметить, что важным является, скорее всего, использование монокристаллов с совершенной кристаллической структурой, так как дефекты (двойники, включения ….) приводят к рассеянию оптического излучения. Принципиальным является и поиск исходного природного сырья.
Важными материалами являются резисты для процессов формирования топологии с использованием перспективных литографических процессов. В настоящее время ведутся разработки перспективных отечественных резистов для процессов фотолитографии, электроннолучевой, ионнолучевой и рентгеновской литографии, наноимпринтинга.
Ведущие специалисты отрасли и исследователи-разработчики подготовили интересные доклады и готовы к широкой дискуссии с пытливой аудиторией слушателей.
Докладчики:
Рощупкин Дмитрий Валентинович, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН, директор ФГБУН ИПТМ РАН – «Перспективные литографические процессы и востребованные материалы»;
Малков Георгий Васильевич, к.х.н, заведующий отделом полимерных и композиционных материалов ФИЦ ПХФ и МХ РАН – «Перспективы организации малотоннажного производства резистов в Черноголовке;
Солдатов Александр Владимирович, д.ф.-м.н., директор международного исследовательского института интеллектуальных материалов – «Исследование возможностей получения фото/рентгеночувствительных тонких пленок, содержащих метал-органические каркасные структуры»;
Слиняков Альберт Юрьевич, генеральный директор ООО «Поликетон» – «Создание и запуск производства фоточувствительных материалов для литографии»;
Бокарёв Валерий Павлович, д.т.н., начальник отдела АО «НИИМЭ» – «Производство и применение новых оптических материалов для дальнейшего развития технологии микро- и наноэлектроники»;
Левченко Александр Алексеевич, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН, директор ФГБУН ИФТТ РАН – «Выращивание кристаллов CaF2 вертикальной зонной плавкой»;
Ежлов Вадим Сергеевич, к.ф.-м.н., АО «МНТЦ МИЭТ» – «Материалы для твердотельной электроники (результаты исследований 2025 года по комплексной программе «Развитие электронного машиностроения»)»;
Бадамшина Э. Р., д.х.н., Алдошин С. М., академик РАН, Работы институтов РАН в области материалов для микроэлектроники.
Грачев Сергей Николаевич, Минпромторг России
Степанова Ульяна
Приглашены к выступлению: АО «НИИМЭ», ИПТМ РАН, ФИЦ ПХФ И МХ РАН, ПОЛИКЕТОН, ЮФУ, ИФТТ РАН.