Круглый стол «Перспективные пьезо- и сегнетоэлектрические материалы для микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики: синтез и применение». Секция №13. Дата и время уточняется

Зал №13

Организатор: Секция №13
Модераторы:

• д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович, директор ФГБУН ИПТМ РАН
• д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, начальник отдела АО «НИИМЭ»

Цели и задачи

Цель – выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественной наукой и наукоемкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы создания перспективных полярных материалов и технологий для формирования передовой микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики. как одного из базовых элементов наукоемкого технологического суверенитета нашего Отечества.

Задачи:

• Подготовка кадров, базовое образование в Университетах в области получения и исследования полярных материалов;
• Методы и оборудование для производства полярных диэлектрических кристаллов;
• Объемные монокристаллы и низкоразмерные 1D кристаллы;
• Развитие методов диагностики и материаловедения полярных материалов: электронная микроскопия, рентгеновские методы исследования структуры и свойств, атомносиловая микроскопия;
• Сырьевая база для производства полярных материалов, исходная шихта;
• Новые подходы в фотонике и сенсорике.

Аннотация

Перспективы развития современной нано- и микроэлектроники связаны с созданием гибридных систем пьезоэлектрик/полупроводник, которые позволяют интегрировать задачи передачи и обработки и информации по электронным и оптическим каналам. Использование пьезоэлектрических материалов позволяет ускорить передачу информации между ядрами процессоров, создавать пьезогенераторы для питания микросхем и процессоров, создавать нейроморфные процессоры.

Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в телекоммуникационных системах для обработки и передачи информации в режиме реального времени при использовании поверхностных и объемных акустических волн. Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в развитии сенсорики, где необходимо создание датчиков физических величин на прямом пьезоэлектрическом эффекте или акустических резонаторах в условиях беспроводных коммуникаций. Большое значение пьезоэлектрические материалы имеют для развития мобильных сетей 6G и 7G. Для развития данных направлений необходим не только поиск новых подходов и решений при создании интегральных устройств акустоэлектроники и фотоники, но и поиск новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами (высокие значения пьезоэлектрических модулей и высокие значения скоростей акустических волн). Большое развитие данное направление может получить с использованием низкоразмерных 1D материалов (наностержни ZnO и AlN) и развитием технологий миниатюризации акустоэлектронных устройств с использованием процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Возможность гибридизации пьезоэлектрических и полупроводниковых материалов в перспективе откроет новую эру в микроэлектронике. Этой задаче посвящена работа 13 секции форума «Микроэлектроника 2026» «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы», на которой будут расширены горизонты познания и заложены основы отечественного научного и технологического прорыва.

Поиск перспективных материалов и подходов при создании устройств микроэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики на основе систем пьезоэлектрик/полупроводник позволит создавать энергоэффективную элементной базы на основе низкоразмерных материалов и структур, что найдет свое отражение в работе секции №13 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы». Ведущие специалисты отрасли и исследователи-разработчики подготовили интересные доклады и готовы к широкой дискуссии с аудиторией заинтересованных слушателей.

Также поиск новых материалов неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники, так как только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике.

Приглашены к выступлению:

• ООО «БУТИС», к.т.н. Машинин Олег Всеволодович
• Курчатовский комплекс технологических исследований сверхтвердых и новых углеродных материалов, Лаборатория физической акустики и акустоэлектронных устройств, Сорокин Борис Павлович
• Департамент металлургии и материалов Минпромторга России, заместитель руководителя департамента Грачев Сергей Николаевич
• ЭЗАН, д.т.н., член-корр. РАН Бородин Владимир Алексеевич
• АО «НИИМЭ», д.т.н. Бокарев Валерий Павлович
• ИПТМ РАН, Низкоразмерные 1D пьезоэлектрические кристаллы, объемные монокристаллы LiNbO3 и их производные.