Круглый стол «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы». РАН, НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха»

Дата, время и место проведения уточняется

Организаторы: Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, НИЯУ МИФИ, АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха»

Модератор:

• Сафаралиев Гаджимет Керимович, член-корр РАН

Цели и задачи

Цель: формирование предложений по углублению локализации электронных компонентов и систем в современных беспилотных системах.

Задача: поиск возможностей и компетенций в России для коммерческих ориентированных и устойчивых партнёрств в рамках политики локализации российского производства беспилотных систем.

Аннотация

В последнее время производители электронного оборудования и материалов для микроэлектронной промышленности направляют всё больше усилий на поиск разумной альтернативы кремнию. И если нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC) уже находятся на стадии коммерциализации и сегодня они уже используются при изготовлении силового энергетического оборудования и других сложных электронных устройств, то характеристики других новых материалов (например, оксида галлия (Ga2O3) или алмаза и возможность их применения в составе электронной аппаратуры) только предстоит оценить. После замещения всей основной линейки импортных блоков управления для автотранспорта отрасль переходит к локализации на уровне электронных компонентов и развитию новых (перспективных) систем, что открывает возможности для новых кооперационных цепочек, ранее отсутствовавших в России.

Результаты проведения секции позволяют сделать вывод, что в ближайшей перспективе широкозонные полупроводниковые соединения будут являться безусловными фаворитами прикладной микроэлектроники, а перспективным направлением в экстремальной электронике будет являться использование алмаза, как активного элемента, в сильноточной и высоковольтной электронике.

Приглашены к выступлению:

• СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
• ФТИ им. А. Ф. Иоффе
• НИЯУ МИФИ
• ВНИИАЛМАЗ
• ДГТУ
• НИУ МИЭТ
• АО «НИИ НПО «ЛУЧ»
• АО «Концерн ВКО «Алмаз – Антей»
• ФИАН им. П. Н. Лебедева
• МГУ им. М. В. Ломоносова
• ФГБНУ ТИСНУМ
• ГНЦ РФ «НПП «Технологический центр»
• представители органов государственной власти, производителей микроэлектроники и дизайн-центров (на согласовании).