Круглый стол «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы». РАН, НИУ МИЭТ, НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха». 24 сентября 17:00-18:30
р.
р.
24 сентября 17:00-18:30 Зал №8
Организаторы: Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, НИЯУ МИФИ, АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха»
Модератор:
Сафаралиев Гаджимет Керимович, член-корр РАН
Цели и задачи
Цель: формирование предложений по углублению локализации электронных компонентов и систем в современных беспилотных системах.
Задача: поиск возможностей и компетенций в России для коммерчески ориентированных и устойчивых партнерств в рамках политики локализации российского производства беспилотных систем.
Аннотация
В последнее время производители электронного оборудования и материалов для микроэлектронной промышленности направляют все больше усилий на поиск разумной альтернативы кремнию. И если нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC) уже находятся на стадии коммерциализации и сегодня они уже используются при изготовлении силового энергетического оборудования и других сложных электронных устройств, то характеристики других новых материалов (например, оксида галлия (Ga2O3) или алмаза и возможность их применения в составе электронной аппаратуры) только предстоит оценить. После замещения всей основной линейки импортных блоков управления для автотранспорта отрасль переходит к локализации на уровне электронных компонентов и развитию новых (перспективных) систем, что открывает возможности для новых кооперационных цепочек, ранее отсутствовавших в России.
Результаты проведения секции позволят сделать вывод, что в ближайшей перспективе широкозонные полупроводниковые соединения будут являться безусловными фаворитами прикладной микроэлектроники, а перспективным направлением в экстремальной электронике будет являться использование алмаза, как активного элемента, в сильноточной и высоковольтной электронике.
Приглашены к выступлению:
д.ф.-м.н., член-корр. РАН Иванов Сергей Викторович, ФТИ им. А.Ф. Иоффе