Круглый стол «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы». Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха»

30 сентября 17:00-18:30
Зал №8

Организаторы: Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, НИЯУ МИФИ, АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха»

Модератор:

• Сафаралиев Гаджимет Керимович, член-корр РАН

Цели и задачи

Цель: формирование предложений по углублению локализации электронных компонентов и систем в современных беспилотных системах.

Задача: поиск возможностей и компетенций в России для коммерческих ориентированных и устойчивых партнёрств в рамках политики локализации российского производства беспилотных систем.

Аннотация

В последнее время производители электронного оборудования и материалов для микроэлектронной промышленности направляют всё больше усилий на поиск разумной альтернативы кремнию. И если нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC) уже находятся на стадии коммерциализации и сегодня они уже используются при изготовлении силового энергетического оборудования и других сложных электронных устройств, то характеристики других новых материалов (например, оксида галлия (Ga2O3) или алмаза и возможность их применения в составе электронной аппаратуры) только предстоит оценить. После замещения всей основной линейки импортных блоков управления для автотранспорта отрасль переходит к локализации на уровне электронных компонентов и развитию новых (перспективных) систем, что открывает возможности для новых кооперационных цепочек, ранее отсутствовавших в России.

Результаты проведения секции позволяют сделать вывод, что в ближайшей перспективе широкозонные полупроводниковые соединения будут являться безусловными фаворитами прикладной микроэлектроники, а перспективным направлением в экстремальной электронике будет являться использование алмаза, как активного элемента, в сильноточной и высоковольтной электронике.

Приглашены к выступлению:

• Жилин Андрей Анатольевич, Советник председателя совета директоров АО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ», АО «НПП «НОВАТОР ПЛЮС». Председатель рабочей группы «Силовая Электроника» Совета по развитию электронной промышленности Минпромторга России. Тема доклада «Применение широкозонных и сверх широкозонных полупроводников. Перспективы рынка, схемотехнические решения»         
• к.т.н. Федотов Сергей Николаевич, технический директор АО «Эпиэл». Тема доклада «Первые в России серийные эпитаксиальные структуры SiC для MOSFET транзистора, до 3300 В.»
• к.т.н., доцент Колядин Александр Владимирович, Председатель Совета директоров, технический директор ООО «НЬЮ ДАЙМОНД ТЕХНОЛОДЖИ». Тема доклада «Новые подходы к производству крупных монокристаллических алмазных подложек для электронной промышленности»
• к.т.н. Трофимов Александр Александрович, ведущий специалист ОСВЧПЭ НИЦ «Курчатовский институт». Тема доклада «Механическая обработка приборных пластин широкозонной электроники со сложным поверхностным рельефом AlGaN/GaN СВЧ МИС»
• Травин Николай Константинович, заместитель технического директора АО «НПП «НОВАТОР ПЛЮС». Тема доклада «Изготовление низкодефектных проводящих слитков SiC»
• Субботин Роман Сергеевич, генеральный директор АО «НПК Спектр». Тема доклада «CVD-рост поликристаллического алмаза и его применение в качестве термоинтерфейса»
• к.т.н. Четвергов Михаил Владимирович, заместитель генерального директора - технический директор АО «НПП «ЭЛАР». Тема доклада «Развитие компетенций в области контрактного производства элементной базы SiC»
• Городецкий Эдуард Романович, генеральный директор АО «Диатек». Тема доклада «Синтез с легированием монокристаллов алмаза методом HPHT и их применение»
• к.т.н. Панкрашкин Алексей Владимирович, генеральный директор ООО "ИНТЕХ Научные решения НПК" (ГК Макро-групп). Тема доклада «Современное состояние рынка широкозонных полупроводников для фотоники, ВЧ/СВЧ и Силовой Электроники»
• д.т.н., доцент Семенов Александр Анатольевич, проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Тема доклада «СПбГЭТУ «ЛЭТИ» - центр компетенций в области карбидокремнеивых технологий»
• Жмерик Валентин Николаевич, главный научный сотрудник, заведующий лабораторией ФТИ им. А. Ф. Иоффе (Ioffe Institute). (Онлайн)