д.т.н. Якунин Сергей Николаевич, первый заместитель Курчатовского комплекса синхротронно-нейтронных исследований НИЦ «Курчатовский институт»
Цели и задачи
Обсуждение возможностей синхротронного излучения для решения прикладных задач микроэлектроники, определение приоритетов и механизмов эффективного применения синхротронного излучения в микроэлектронной отрасли, включая анализ текущего уровня использования, выявление ключевых барьеров, а также выработку предложений по расширению кооперации между научными и промышленными организациями и развитию необходимой инфраструктуры.
Аннотация
Современные вызовы микроэлектроники требуют развития и применения новых методов диагностики и метрологии, недоступных для лабораторных установок. Синхротронное излучение становится критически важным инструментом, обеспечивающим уникальные возможности в ключевых областях: передовая диагностика материалов и структур, фундаментальные исследования перспективных устройств, инструментальная метрология компонентов литографического оборудования, а также технологии формирования структур. Круглый стол посвящён анализу текущего состояния и потенциала применения синхротронного излучения, обмену опытом между научными и промышленными организациями, а также выработке практических рекомендаций по расширению кооперации и интеграции синхротронных центров в технологические цепочки отечественной электронной промышленности.
Приглашены к выступлению:
Чхало Николай Иванович, заведующий отделом института физики микроструктур РАН
к.т.н. Аряшев Сергей Иванович, первый заместитель директора - главный конструктор НИЦ «Курчатовский институт» - НИИСИ
Веселов Денис Сергеевич, АО «Нанотроника»
Батурин Андрей Сергеевич, ВНИИОФИ
Николаев Константин Владимирович, НИЦ «Курчатовский институт»
Вопросы и темы, выносимые на обсуждение
неразрушающие методы контроля, позволяющие проводить всесторонний анализ структурного состояния, дефектности, механических напряжений и химического состава микроэлектронных изделий для обеспечения качества и надёжности;
исследования свойств новых материалов и перспективных устройств, включая энергонезависимую память, спинтронику, квантовые структуры, а также изучение их поведения в рабочих режимах;
инструментальная метрология компонентов литографического оборудования – оптики, резистов, защитных плёнок, осветительных систем и масок – на основе измерений, проводимых в рабочем спектральном диапазоне;
технологии формирования структур с использованием синхротронного излучения: литографические методы и создание микроструктур, их текущие возможности, области применения и ограничения для цифровой микроэлектроники;
развитие специализированной синхротронной инфраструктуры для нужд микроэлектроники, включая создание технологических и метрологических станций, механизмы доступа промышленных предприятий, кооперацию с научными центрами и формирование отраслевых программ исследований.