Модераторы:
- Рощупкин Дмитрий Валентинович
- Бокарев Валерий Павлович
Цели и задачи
Цель – выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественной наукой и наукоемкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы создания инновационных материалов и технологий для формирования передовой микро- и наноэлектроники как одного из базовых элементов наукоемкого технологического суверенитета нашего Отечества.
Задачи круглого стола
- Материалы для изготовления фотошаблонов и оптических элементов степперов.
- Резисты для процессов фотолитографии, электроннолучевой, ионнолучевой и рентгеновской литографии, наноимпринтинга, перспективы производства в России.
Аннотация
Развитие современной микро- и наноэлектроники, дальнейшая миниатюризация определяются развитием литографических процессов. Для развития данных процессов сегодня критическими являются два направления. Для фотолитографических процессов и наностеперров важным является поиск перспективных материалов для создания фотошаблонов и оптических элементов. Если для процессов с длинами волн 200-250 нм возможно использование синтетического кварца, то на длины волн менее 200 нм необходимо уже применение фторидов (CaF2, LiF ….). В обоих случаях стоит задача получения особочистых материалов, так как примеси влияют на пропускание оптического излучения. Также следует отметить, что важным является, скорее всего, использование монокристаллов с совершенной кристаллической структурой, так как дефекты (двойники, включения ….) приводят к рассеянию оптического излучения. Принципиальным является и поиск исходного природного сырья.
Важными материалами являются резисты для процессов формирования топологии с использованием перспективных литографических процессов. В настоящее время ведутся разработки перспективных отечественных резистов для процессов фотолитографии, электроннолучевой, ионнолучевой и рентгеновской литографии, наноимпринтинга.
Ведущие специалисты отрасли и исследователи-разработчики подготовили интересные доклады и готовы к широкой дискуссии с пытливой аудиторией слушателей.
Приглашены к выступлению:
АО «НИИМЭ», ИПТМ РАН, ФИЦ ПХФ И МХ РАН, ПОЛИКЕТОН, ЮФУ, ИФТТ РАН