Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.

Информация

для докладчиков

и авторов статей

Российский форум «Микроэлектроника»
Уважаемые докладчики и авторы статей Российского форума «Микроэлектроника», на Форуме предусмотрено несколько форматов участия с докладами.

Каждый формат отличается по содержанию, форме представления и месту в программе.
Уважаемые докладчики и авторы статей Российского форума «Микроэлектроника»
1. Научный доклад

Полностью ориентирован на научную составляющую: новые результаты исследований, теоретические разработки, экспериментальные данные, анализ методов и технологий. Содержит исключительно научную информацию, без элементов продвижения (брендинга и описания) компаний, продуктов или услуг.

Варианты участия:
  • Очный — классическое личное выступление в зале перед аудиторией с презентацией. Докладчик лично представляет материал, отвечает на вопросы участников и участвует в обсуждении.
  • Онлайн — представление доклада для всех зарегистрированных участников Форума в онлайн формате. Докладчик выступает удалённо по видеосвязи, демонстрируя свою презентацию, и может отвечать на вопросы в прямом эфире. Личного присутствия на площадке не предусмотрено.
  • Заочный — дистанционная форма представления научного доклада, при которой докладчик не присутствует лично на Форуме и не выступает онлайн. Докладчик предоставляет только материалы, которые публикуются в сборнике тезисов и сборнике докладов.
  • Стендовый — тот же научный или технический материал, что и в обычном научном докладе, но представляется в формате постера / макета стендового доклада по специальному шаблону Форума. Во время Форума выделяется специальное время для презентации стендовых докладов — авторы лично общаются с участниками у своих стендов.
2. Коммерческий доклад

Доклад о разработках, технологиях или услугах с элементами продвижения (описания) компании. Должен оставаться в рамках профессиональной и деловой дискуссии (не прямая реклама).

Варианты:
  • Очный — личное выступление в зале перед аудиторией с презентацией и возможностью демонстрации элементов продвижения (описания) компании. Докладчик лично представляет материал, отвечает на вопросы участников и участвует в обсуждении.
  • Онлайн — представление доклада в прямой трансляции с элементами продвижения (описания) компании. Докладчик выступает удалённо по видеосвязии, демонстрируя свою презентацию, и может отвечать на вопросы в чате или в прямом эфире. Личного присутствия на площадке не предусмотрено.
3. Доклад круглого стола

Выступление и/или участие в дискуссии в рамках деловой программы Форума — на круглых столах, панельных дискуссиях или экспертных сессиях. Формат выступления согласовывается с модератором.

Варианты:
  • Очный — личное участие в круглом столе или панельной дискуссии. Докладчик присутствует в зале, выступает и участвует в живой дискуссии с другими экспертами и аудиторией.
  • Онлайн — выступление в прямой трансляции круглого стола или панельной дискуссии. Докладчик выступает удалённо по видеосвязии, демонстрируя свою презентацию, и может отвечать на вопросы в чате или в прямом эфире. Личного присутствия на заседании круглого стола не предусмотрено.
ВАЖНО

Докладчики всех форматов, включая стендовый, выступают в рамках утверждённых секций научной программы или круглых столов деловой программы Форума.
Сроки предоставления материалов
1 июля 2026
Окончание приёма тезисов докладов в Личном кабинете участника
1 августа 2026
Окончание приёма экспертных заключений на тезисы докладов в Личном кабинете участника
21 сентября 2026
Окончание приёма презентаций докладчиков Форума и макетов стендовых докладов 12-ой Научной конференции в Личном кабинете участника
1 декабря 2026
Окончание приёма статей участников и экспертных заключений на них в Личном кабинете участника
Требования к тексту тезисов докладов
ВАЖНО

Предоставление тезисов докладов и экспертных заключений на них (если вы планируете публиковать свои тезисы в сборнике) является обязательным условием для всех участников с докладами
Для текста тезисов (русский язык, английский язык в случае наличия, список литературы) установлен объем до 4000 символов (включая пробелы, текст в таблицах, рисунках, схемах и т.п.) с соблюдением тех же правил оформления текста, что и для статей. Объем аннотации на русском языке (приводится в справочной информации согласно требованиям РИНЦ) не должен превышать 300 символов. Просьба в тезисах указывать только фамилию и инициалы авторов (например, Иванов И. И.).

Тезисы докладов будут отнесены организаторами Форума к одной из тематик научной программы. Планируется выпуск электронной версии сборника тезисов и сборника докладов по итогам Форума. Все материалы будут направлены в систему РИНЦ (Российский индекс научного цитирования) – крупнейшую информационно-аналитическую базу, содержащую сведения о более чем 5,7 млн публикаций российских авторов и данные о цитировании из свыше 4000 отечественных журналов.
ВАЖНО

Тезисы докладов необходимо подать в Оргкомитет через Личный кабинет по 1 июля 2026 года включительно.
Начиная с 2026 года Оргкомитет ввел обязательное требование – для публикации тезисов необходимо предоставить экспертное заключение на них.

Если вы планируете публиковать тезисы, экспертное заключение должно быть загружено в соответствующий раздел Личного кабинета по 1 августа 2026 года включительно.
Требования к оформлению стендовых докладов
Для размещения доклада в формате постера каждому из заявленных участников будет предложено место на стенде в зоне научной конференции Форума.

Авторы самостоятельно готовят материалы в формате PDF и загружают в Личный кабинет по 21 сентября 2026 года включительно.

Требования к оформлению стендового доклада:
  • Формат листа А1 (594 x 841 мм)
  • Ориентация альбомная или горизонтальная
  • Количество листов – не более 1

Рекомендации по содержанию и дизайну:
  • Основной текст рекомендуется выполнить шрифтом Times New Roman Cyr, кегль 20 или 22 пт, интервал 1,5
  • Текст должен свободно читаться с расстояния не менее 50 см
  • Объем информации должен позволять ознакомиться со стендовым докладом за 1–2 мин

Рекомендуется уделить особое внимание качеству иллюстраций:
  • Графики, таблицы, фото и рисунки должны быть информативными и четкими
  • Таблицы – без избытка цифр
  • Все рисунки и графики – с понятными подписями
  • Приветствуется цветная графика
  • Фотографии – только с ясной информационной нагрузкой
  • Оптимальное соотношение текста и визуального материала – 1:1 по площади
ВАЖНО

Если стендовый доклад планируется к публикации, авторы обязаны подготовить следующие материалы с соблюдением всех сроков:
  1. Тезисы доклада.
  2. Экспертное заключение на тезисы.
  3. Полную статью.
  4. Экспертное заключение на статью о возможности открытой публикации.

Материалы стендовых докладов, подгруженных ранее в Личный кабинет докладчиками, распечатывают организаторы Форума, докладчикам этого делать не требуется.

Организаторы самостоятельно крепят листы на стенды. Участникам не нужно заниматься монтажом.
Требования к тексту докладов
ВАЖНО

Если вы планируете публиковать свою статью, то к тексту статьи необходимо приложить экспертное заключение, содержащее:

  • подтверждение отсутствия в статьях секретных сведений или сведений ограниченного распространения
  • разрешение на открытое публикование
Для публикации докладов в Научной электронной библиотеке участники должны предоставить доклады в формате статей, оформленных в соответствии с требованиями к статьям, загружаемым в систему РИНЦ.

РИНЦ формируется на универсальной технологической платформе eLIBRARY.RU, являющейся собственностью компании «Научная электронная библиотека» (НЭБ).

Доклады участников и экспертные заключения на них загружаются в Личном кабинете в срок по 1 декабря 2026 года включительно.

Материалы для публикации представляются на русском языке в формате Microsoft Word. Если у авторов есть текст доклада на английском языке для размещения в РИНЦ, он предоставляется еще и на английском языке. Текст доклада на английском языке (без русского варианта) не принимается.

Авторам, у которых есть только русский текст и нет планов переводить его на английский язык, не нужно делать транслитерацию ссылок на русскую литературу.

В описании каждой статьи должны быть указаны следующие данные:

  1. Фамилия, имя, отчество авторов полностью. По требованиям РИНЦ в содержании указываются только инициалы, полное ФИО указывается в тексте.
  2. Место работы каждого автора (если таковое имеется) в именительном падеже с указанием почтового адреса с индексом. Важно четко, не допуская иной трактовки, указать место работы конкретного автора. Если все авторы статьи работают или учатся в одном учреждении, можно не указывать место работы каждого автора отдельно. Может быть написана должность автора.
  3. Контактная информация, e-mail. Крайне желательно указывать контактный телефон (конфиденциальность гарантируется).
  4. Название статьи.
  5. Аннотация (не более 4-х строк).
  6. Ключевые слова (до 10 слов): каждое слово или словосочетание отделяется от другого точкой с запятой.
  7. Коды: УДК и/или ББК, и/или DOI и/или других классификационных индексов или систем регистрации (ГСНТИ, SPIN код и т.п.).
  8. Список пристатейных ссылок (или пристатейный список литературы, комментарии по оформлению см. ниже).

Данные пунктов №1–6 должны приводиться на русском и английском языках. Если авторы не в первый раз участвуют в Форуме, просьба отследить, чтобы ФИО на английском языке соответствовало первоначальному варианту, иначе возможны проблемы с индексированием в РИНЦ.

После одобрения редакционными коллегиями ранее направленных материалов они будут опубликованы в одном из следующих изданий:
Вариант 1. Журнал «НАНОИНДУСТРИЯ»
Вариант 2. Журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»
Вариант 3. Журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника»
Вариант 4. Журнал «Микроэлектроника» и Russian Microelectronics
Вариант 1

Сборник докладов выходит в формате спецвыпуска научно-технического журнала «НАНОИНДУСТРИЯ» (для всех участников Форума и Школы молодых ученых). Журнал включен в перечень ВАК (перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней кандидата и доктора наук, номера специальностей 1.3.11 Физика полупроводников (технические науки), 2.6.6 Нанотехнологии и наноматериалы (технические науки), 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники (технические науки), входит в «Белый список», по итогам 2023 года двухлетний импакт-фактор РИНЦ составил 0.330, показатель журнала в рейтинге SCIENCE INDEX 7,164, двухлетний импакт-фактор по ядру РИНЦ 0.266.Статистика журнала доступна в eLIBRARY.RU.

Журнал «НАНОИНДУСТРИЯ» занимает 478 место в общем рейтинге SCIENCE INDEX за 2023 год, имеет 12 процентиль, а по тематике «Электроника. Радиотехника» занимает 9 место среди всех журналов, участвовавших в рейтинге.

По результатам общественного рейтинга журнал находится на 1358 месте (после обработки более чем 22 тысяч анкет, полученных в ходе общественной экспертизы российских научных журналов).

Журнал «НАНОИНДУСТРИЯ» занимает 478 место в общем рейтинге SCIENCE INDEX за 2023 год, имеет 12 процентиль, а по тематике «Электроника. Радиотехника» занимает 9 место среди всех журналов, участвовавших в рейтинге.

По результатам общественного рейтинга журнал находится на 1358 месте (после обработки более чем 22 тысяч анкет, полученных в ходе общественной экспертизы российских научных журналов).
Вариант 2

Журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» (для всех участников Форума и Школы молодых ученых). Специальности ВАК 2.2.1 Вакуумная и плазменная электроника (технические науки), 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (технические науки, физико-математические науки), 2.2.8 Методы и приборы контроля и диагностики материалов, изделий, веществ и природной среды (технические науки), 2.3.5 Математическое и программное обеспечение вычислительных систем, комплексов и компьютерных сетей (технические науки), входит в «Белый список».

В сборнике докладов в виде спецвыпуска журнала «НАНОИНДУСТРИЯ» будет размещена аннотация доклада и фраза «С полной версией данной статьи можно ознакомиться на сайте научно-технического журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника» http://ivuz-e.ru, а также на сайте Научной электронной библиотеки eLIBRARY.RU.

В сборнике докладов в виде спецвыпуска журнала «НАНОИНДУСТРИЯ» будет размещена аннотация доклада и фраза «С полной версией данной статьи можно ознакомиться на сайте научно-технического журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника» http://ivuz-e.ru, а также на сайте Научной электронной библиотеки eLIBRARY.RU.
Вариант 3

Журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» (для всех участников Форума и Школы молодых ученых). Специальности ВАК 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (технические науки), 2.3.5 Математическое и программное обеспечение вычислительных систем, комплексов и компьютерных сетей (технические науки), входит в «Белый список».

В сборнике докладов в виде спецвыпуска журнала «НАНОИНДУСТРИЯ» будет размещена аннотация доклада и фраза «С полной версией данной статьи можно ознакомиться на сайте научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» http://niime.ru/science/9-zhurnal-mikroelektronika, а также на сайте Научной электронной библиотеки eLIBRARY.RU.
Вариант 4

Журнал «Микроэлектроника» и Russian Microelectronics (только для участников Школы молодых ученых). Статьи публикуются по представлению секций «Моделирование структур, технологических процессов и устройств микроэлектроники», «Школа НИИМЭ вычислительной литографии», «Технологические процессы микроэлектроники», «Квантовые технологии» и «Физика микро- и наноразмерных приборов».

Журнал «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» – рецензируемое академическое издание, посвященное современным исследованиям в области микро- и наноэлектроники.

Публикации в журнале «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» охватывают широкий спектр вопросов по литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), технологиям травления и осаждения, легирования, моделированию технологических процессов и современных нанотранзисторов, плазменным технологиям, сухому травлению и многим смежным тематикам. Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений, а также для аспирантов.

Основные рубрики:
  • Литография;
  • Моделирование;
  • Наноструктуры;
  • Технологии;
  • Диагностика;
  • Мемристоры;
  • Нанотранзисторы;
  • Приборы.

Журнал основан в 1972 г. Учредители Российская академия наук и Физико-технологический институт РАН им. К. А. Валиева Российской академии наук.
По вопросам, связанным с оформлением докладов и тезисов, обращайтесь, пожалуйста, в Оргкомитет Форума