Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
СЕКЦИЯ №4

Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники

24–26 сентября 2025
Университет «Сириус» Зал №4
Руководитель секции
Шелепин Николай Алексеевич
Доктор технических наук, профессор,
руководитель научного направления «Микроэлектроника»
ИНМЭ РАН
Заместитель руководителя секции
Путря Михаил Георгиевич
Доктор технических наук, профессор,
НИУ МИЭТ
Заместитель руководителя секции
Резванов Аскар Анварович
Кандидат физико-математических наук,
начальник лаборатории
АО «НИИМЭ»
Программа Секции №4
В программе возможны изменения
24 сентября 2025
09:00-09:20
Перспективные технологические решения в области высокотемпературного обжига плат при изготовлении металлокерамических корпусов
Ахметгалиев Равил Шамилевич, АО «ЗПП»
09:20-09:40
Оптимизация процесса гальванического осаждения золота для снижения стоимости конечного продукта на основе составных полупроводников
Суханов Дмитрий Александрович, ООО «Остек Микроэлектроника»
09:40-10:00
Технологические возможности сборки многокристальных модулей на уровне пластины
к.ф.-м.н. Лачинов Алексей Алексеевич, Росатом Квантовые технологии
10:00-10:20
Особенности технологии изготовления гетеробиполярных транзисторов на основе структур InGaP/GaAs
Осипов Андрей Михайлович, ЗАО «НПП Планета-Аргалл»
10:20-10:40
Разработка технологического процесса GaN/SiC с топологической нормой 0,25 мкм в АО «ОКБ-Планета»
к.т.н. Желаннов Андрей Валерьевич, АО «ОКБ-ПЛАНЕТА»
10:40-11:00
Создание буферного N-стоп слоя в кремниевых силовых полупроводниковых приборах с использованием легирования ионами водорода
Вренев Ярослав Андреевич, ООО «ССТ»
11:00-11:30
КОФЕ-БРЕЙК
11:30-11:50
Формирование газопроницаемого микропрофиля поверхности молибденовых подложек, высокоинтенсивным электронно-лучевым воздействием
Шугаепов Шамиль Наилевич, АО «ЗПП»
11:50-12:10
Разработка цифрового двойника суб-100 нм многозатворных МОП-транзисторов
к.т.н. Силкин Денис Сергеевич, МИЭМ НИУ ВШЭ
12:10-12:30
Разработка и оптимизация приборов силовой электроники от 0,4 до 17 класса с целью получения их предельных целевых параметров с помощью приборно-технологического моделирования
Кравчук Евгения Алексеевна, ООО «ССТ»
12:30-12:50
Пластиковые корпуса с открытой полостью – преимущества, проблемы и решения
Воробьев Сергей Александрович, ООО «ОСТЕК-ЭК»
12:50-13:05
ОНЛАЙН
Статус реализации GaN-технологии на площадке АО «ЗНТЦ». Актуальные результаты разработки GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники. Планы и перспективы по запуску Foundry-сервиса
Веретенников Денис Александрович, ОА «ЗНТЦ»
13:00-15:00
ОБЕД
25 сентября 2025
09:00-09:20
Контроль процессов формирования ONO-структур для применения в приборах с энергонезависимой памятью7
Волоховский Александр Дмитриевич, ООО «НМ-Тех»
09:20-09:40
Сегнетоэлектрический полевой транзистор памяти на основе Hf₀,₅Zr₀,₅O₂ и двумерного MoS₂
к.т.н. Черникова Анна Георгиевна, МФТИ, Физтех
09:40-10:00
Алгоритм детектирования критической степени деградации остаточной поляризации и ошибок чтения в дифференциальных ячейках FeRAM на основе Hf0.5Zr0.5O2
Константинов Вячеслав Сергеевич, АО «НИИМЭ»
10:00-10:20
Разработка и оптимизация конструкции 65В n-канального LDMOS транзистора для 130 нм BCD-технологии
Лапин Александр Евгеньевич, ООО «НМ-Тех»
10:20-10:40
Сравнение эффективности механизмов горячих носителей и туннелирования при программировании ячеек энергонезависимой памяти SONOS
Червонный Дмитрий Владимирович, АО «НИИМЭ»
10:40-11:00
Мемристивные структуры на основе энергонезависимых фазопеременных материалов и оксидов переходных металлов
Михалевский Владимир Александрович, НИЦ «Курчатовский институт»
11:00-11:30
КОФЕ-БРЕЙК
11:30-11:50
Использование термически разлагаемого полимера, нанесенного газофазным осаждением, для травления low-k-диэлектрика с малым повреждением
Резванов Аскар Анварович, АО «НИИМЭ»
11:50-12:10
Атомно-слоевое осаждение TiO2 нанометровой толщины на двумерные полупроводниковые материалы: MoS2
Маркеев Андрей Михайлович, МФТИ
12:10-12:30
Структура и электрические свойства пленок MoS2, синтезированных методом металло-органического химического осаждения из газовой фазы
Романов Роман Иванович, МФТИ
12:30-12:50
Метод проведения процесса проявления фоторезиста для уменьшения количества дефектов на областях с низкой плотностью рисунка в изготовлении ИС по технологическим нормам 130 нм
Шелкунов Дмитрий Юрьевич, ООО «НМ-Тех»
13:00-15:00
ОБЕД
26 сентября 2025
09:00-09:20
Исследование влияния параметров глубокого реактивного ионного травления на профиль боковых поверхностей при изготовлении элементов МЭМС
Петрова Софья Владимировна, ИНЭП ЮФУ
09:20-09:40
Определение параметров технологических операций плазменного травления и метода химической очистки для удаления полимерной высадки при изготовлении ИС по технологическим нормам 250 нм и ниже
Артамонова Кристина Владимировна, ООО «НМ-Тех»
09:40-10:00
Методология оперативного контроля надежности наноразмерных МОП-транзисторов при воздействии горячих электронов
Воеводин Алексей Викторович, АО «НИИМЭ»
10:00-10:20
Методология оценки состояния базовых технологий и PDK в условиях изменений
Королева Анна Николаевна, АО «НИИМЭ»
10:20-10:40
Исследование компенсации проявления эффекта искажения элементов фоторезистивной маски при разрушающем РЭМ-анализе
Рудометов Ярослав Андреевич, ООО «НМ-Тех»
10:40-11:00
Разработка режима ионной полировки большой площади для разрушающего анализа контактов ИС с помощью РЭМ
Русанова Кристина Денисовна, ООО «НМ-Тех»
11:00-11:30
КОФЕ-БРЕЙК
11:30-11:50
Моделирование деградации p-канального МОП-транзистора, вызванной эффектом температурной нестабильности при отрицательном смещении затвора
Шарипов Алмаз Ильясович, ООО «НМ-Тех»
11:50-12:10
Исследование особенностей испытаний МОП-транзисторов на стойкость к эффекту термополевой нестабильности
Псху Дарья Андреевна, ООО «НМ-Тех»
12:10-12:30
ОНЛАЙН
Исследование влияния температуры и мощности на интенсивность отказов транзистора
Чашкин Леонид Борисович, НИУ ВШЭ
12:30-12:50
Потеря состояния в FRAM-устройствах на основе тонких пленок оксида гафния-циркония при низких рабочих напряжениях
Калика Елизавета Борисовна, МФТИ
12:50-13:00
Заключительная дискуссия
13:00-15:00
ОБЕД
Заочный доклад
Влияние условий формирования лазерных граней на надежность полупроводниковых лазеров с гребневой конструкцией волновода
Симонов Алексей Валерьевич, ООО «Остек Микроэлектроника»
Заочный доклад
Прямой гидрофильный бондинг алмаза (100) с напылением подложками из SiO2
Губкин Арсений Андреевич, ООО «Остек-ЭК»
Секция №4 «Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники» охваты­вает тематику технологий и компонен­тов микро- и на­ноэлектроники:
— технологии изготовления интегральных микросхем;
— технологии изготовления полупроводниковых приборов;
— компоненты интегральных микросхем;
— применение новых материалов в технологии изготовления микросхем и полупроводниковых приборов;
— технологические процессы в технологии интегральных микросхем и полупроводниковых приборов;
— технологии интеграции элементов кремниевых ИС и СВЧ компонентов А3В5;
— электрофизические характеристики компонентов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Назад к программе Научной конференции