Пленарное заседание №2
«Микроэлектроника: перспективы развития и технологические вызовы»
29 сентября 2026 10:00-13:30 Зал пленарных заседаний

Модератор: академик РАН, д.ф.-м.н., проф. Горбацевич Александр Алексеевич, гл.н.с. ФИАН и НИИМЭ
Программа пленарного заседания «Микроэлектроника: перспективы развития и технологические вызовы»
10:00-11:00
Основные направления развития микроэлектроники до 2042 г.
академик РАН, д.т.н., проф. Красников Геннадий Яковлевич
Председатель Программного комитета Российского форума «Микроэлектроника 2026», руководитель приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ, Президент РАН, РПТН, научн. рук. АО «НИИМЭ»
11:00-11:30
Перспективы применения 2D материалов в микроэлектронике
член-корр. РАН, д.ф.-м.н. Рощупкин Дмитрий Валентинович, директор ФГБУН ИПТМ РАН
11:30-12:00
КОФЕ-БРЕЙК
12:00-12:20
Перспективные материалы и методы для формирования high-k, low-k диэлектриков и системы металлизации
к.ф.-м.н. Резванов Аскар Анварович, начальник отдела АО «НИИМЭ»
12:20-12:40
Передовые методы гетерогенной интеграции (2.5D и 3D многокристальные модули)
к.ф.-м.н. Баранов Глеб Владимирович, начальник отдела АО «НИИМЭ»
12:40-13:00
Основные направления и перспективы развития новых видов энергонезависимой памяти для вычислительных платформ с жёстким ограничением по энергопотреблению
д.ф.-м.н., Андреева Наталья Владимировна, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
ОБЕД