Оставьте заявку
Оставьте заявку и мы с вами свяжемся
Нажимая на кнопку вы даете согласие на обработку персональных данных. Политика конфиденциальности
Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
предконференция №2
Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы
17–18 сентября 2026 Зеленоград, площадь Шокина, дом 1
Предконференция №2 «Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы»
Координаторы Предконференции
Приветственное слово Шпака Василия Викторовича участникам Предконференции №2 «Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы»
Организатор
Программа Предконференции №2
В программе возможны изменения
В программе возможны изменения
17 сентября 2026
09:00-10:00
Регистрация участников
10:00-10:05
Открытие предконференции №2
академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, президент НИУ МИЭТ
академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, президент НИУ МИЭТ
10:05-10:10
Приветственное обращение (видео)
Шпак Василий Викторович, заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации
Шпак Василий Викторович, заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации
10:10-10:50
Квантовые эффекты и топологические состояния в современной молекулярной электронике
академик РАН Горбацевич Александр Алексеевич, ФИАН, НИУ МИЭТ
академик РАН Горбацевич Александр Алексеевич, ФИАН, НИУ МИЭТ
10:50-11:30
Эволюция систем искусственного интеллекта: мировая повестка, национальные приоритеты РФ и междисциплинарные аспекты
член-корреспондент РАН Храмов Александр Евгеньевич, Российский экономический университет имени Г. В. Плеханова
член-корреспондент РАН Храмов Александр Евгеньевич, Российский экономический университет имени Г. В. Плеханова
11:30-12:10
Спинтронные устройства для 5G технологий
д.ф.м.н., проф. РАН Сафин Ансар Ризаевич, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
д.ф.м.н., проф. РАН Сафин Ансар Ризаевич, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
12:10-12:30
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады участников
12:30-13:10
Микроэлектроника для специальной техники: основные направления развития
к.т.н. Янко Денис Викторович, гл. эксперт НТК
к.т.н. Янко Денис Викторович, гл. эксперт НТК
13:10-13:50
Новый метод оценки радиационной стойкости микроэлектроники
д.ф-м.н Сазонов Василий Викторович, МГУ
д.ф-м.н Сазонов Василий Викторович, МГУ
13:50-14:20
К технологическому лидерству в микроэлектронных имплантируемых нейроинтерфейсах
к.т.н. Пожар Кирилл Витольдович, НИУ МИЭТ
к.т.н. Пожар Кирилл Витольдович, НИУ МИЭТ
14:20-14:40
Презентации новой серии книг «Мир микроэлектроники» и первой книги серии «Технологии КМОП интегральных схем». Автор д.т.н. Шелепин Николай Алексеевич
академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, НИУ МИЭТ
д.т.н. Шелепин Николай Алексеевич, НИУ МИЭТ
академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, НИУ МИЭТ
д.т.н. Шелепин Николай Алексеевич, НИУ МИЭТ
14:40-15:00
ОБЕД
15:00-15:15
Разработка технологических процессов создания ФИС с использованием гетерогенной интеграции пассивных и активных компонентов
Тимошенков Андрей Сергеевич, НИУ МИЭТ
Тимошенков Андрей Сергеевич, НИУ МИЭТ
15:15-15:30
Технология роста интерфейсных материалов системы металл-кремний с использованием физического осаждения и ТФЭ: история разработки, принципы и применение
д.ф.-м.н. Плюснин Николай Инокентьевич, ИНМЭ РАН
д.ф.-м.н. Плюснин Николай Инокентьевич, ИНМЭ РАН
15:30-15:45
ОНЛАЙН
Управляемый газонаполненный разрядник-обостритель высокого давления
к.т.н. Маханько Дмитрий Сергеевич, АО «Плазма»
Управляемый газонаполненный разрядник-обостритель высокого давления
к.т.н. Маханько Дмитрий Сергеевич, АО «Плазма»
15:45-16:00
ОНЛАЙН
Использование методики 2D-масштабирования для упрощения процедуры определения Spice-параметров биполярных транзисторов с различной топологией
Дюканов Павел Алексеевич, АО «ДЦ Кристал»
Использование методики 2D-масштабирования для упрощения процедуры определения Spice-параметров биполярных транзисторов с различной топологией
Дюканов Павел Алексеевич, АО «ДЦ Кристал»
16:00-16:15
Физическое моделирование статических вольтамперных характеристик мощных SIC МОП транзисторов при разных температурах
д.т.н. Зебрев Геннадий Иванович, НИЯУ МИФИ
д.т.н. Зебрев Геннадий Иванович, НИЯУ МИФИ
16:15-16:30
Ввод излучения в волноводный слой из двуокиси титана с помощью полимерной копии пилообразной дифракционной решётки
Соловьёв Владимир Степанович, НИУ МИЭТ
Соловьёв Владимир Степанович, НИУ МИЭТ
16:30-16:45
ОНЛАЙН
Инфрастуктурные решения гетерогенных массово-параллельных и конвейерных систем
Дуксина Илона Ильинична, РТУ МИРЭА
Инфрастуктурные решения гетерогенных массово-параллельных и конвейерных систем
Дуксина Илона Ильинична, РТУ МИРЭА
16:45-17:00
Новые резистивные материалы для процессов литографии на основе комплексов металлов с алифатическими полиэфирами
Зубов Дмитрий Николаевич, ИНМЭ РАН
Зубов Дмитрий Николаевич, ИНМЭ РАН
17:00-17:15
Построение моделей ионных квантовых операций с учётом калибровочной неоднозначности
Дмитриев Илья Алексеевич, НИЦ «Курчатовский институт»
Дмитриев Илья Алексеевич, НИЦ «Курчатовский институт»
17:15-17:30
Способ переноса проектов электронных модулей между различными САПР
Васютин Александр Олегович, МФТИ
Васютин Александр Олегович, МФТИ
17:30-18:00
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады участников
18:00-18:15
Разработка комплекса программ для автоматизации проектирования цифровых схем в базисе отечественных ПЛИС
Чочаев Рустам Жамболатович, НИУ МИЭТ
Чочаев Рустам Жамболатович, НИУ МИЭТ
18:15-18:30
Реализация элементов визуального маршрута обработки топологических данных ИС
Кульпинов Михаил Сергеевич, НИУ МИЭТ
Кульпинов Михаил Сергеевич, НИУ МИЭТ
18:30-18:45
Алгоритм взаимодействия распределённых инерциальных навигационных систем на основе двухкритериального информационного фильтра
Савчиц Александр Сергеевич, НИУ МИЭТ
Савчиц Александр Сергеевич, НИУ МИЭТ
18:45-19:00
Минимизация коробления органической мультизаготовки многовыводных микросхем после проведения операции корпусирования методом высокотемпературного литья под давлением
Рабцевич Вадим Александрович, НИУ МИЭТ
Рабцевич Вадим Александрович, НИУ МИЭТ
19:00-19:15
Особенности проектирования быстродействующих SiGe операционных усилителей с минимальным саморазогревом транзисторов входного дифференциального каскада
Клейменкин Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
Клейменкин Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
18 сентября 2026
10:00-10:15
Расчёт выходных амплитуд квантовых состояний фотонного чипа методом производящих функций
Кокшаров Кирилл Борисович, НИУ МИЭТ
Кокшаров Кирилл Борисович, НИУ МИЭТ
10:15-10:30
Наблюдение фотозарядного эффекта при воздействии видимого импульсного излучения
Кобзев Владимир Михайлович, НИУ МИЭТ
Кобзев Владимир Михайлович, НИУ МИЭТ
10:30-10:45
Особенности настройки двойного конденсора в электронно-лучевом литографе с форматным лучом
Кубраков Роман Владимирович, НИУ МИЭТ
Кубраков Роман Владимирович, НИУ МИЭТ
10:45-11:00
Квантовая телепортация многоуровневых квантовых состояний в условиях влияния квантовых шумов
Голышев Иван Константинович, НИУ МИЭТ, НИЦ «Курчатовский институт»
Голышев Иван Константинович, НИУ МИЭТ, НИЦ «Курчатовский институт»
11:00-11:15
Решение задачи конвертации топологической информации в формат данных экспонирования для установки электронно-лучевой литографии
Климушкин Даниил Александрович, НИУ МИЭТ
Климушкин Даниил Александрович, НИУ МИЭТ
11:15-11:30
Модели символьной синхронизации в системах связи с прямым расширением спектра
Аришин Илья Васильевич, НИУ МИЭТ
Аришин Илья Васильевич, НИУ МИЭТ
11:30-12:00
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады участников
12:00-12:15
Особенности проектирования (выбора) операционных усилителей для дискретно-аналоговых фильтров на переключаемых конденсаторах
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
12:15-12:30
Частотно-модулированный приёмопередатчик 868 МГц на отечественной ЭКБ
Стародубов Владислав Дмитриевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
Стародубов Владислав Дмитриевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
12:30-12:45
Исследование влияния частоты импульсов волоконного лазера на тепловые процессы селективного лазерного плавления сплава Al-Mg-Sc
Волков Сергей Владиславович, НИУ МИЭТ
Волков Сергей Владиславович, НИУ МИЭТ
12:45-13:00
ОНЛАЙН
Автоматизация распределения вычислительных задач в гетерогенных вычислительных системах
Щепухин Денис Олегович, РТУ МИРЭА
Автоматизация распределения вычислительных задач в гетерогенных вычислительных системах
Щепухин Денис Олегович, РТУ МИРЭА
13:00-13:15
Экспериментальные исследования универсального дискретно-аналогового фильтра второго порядка на современной ЭКБ
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
Кузнецов Дмитрий Владимирович, Донской государственный технический университет
13:15-13:30
Разработка схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности на основе отечественных технологических процессов
Сидоров Денис Николаевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
Сидоров Денис Николаевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
13:30-13:45
Разработка предварительного усилителя мощности СВЧ-диапазона для базовых станций 5G на отечественной электронной компонентной базе
Евлампьев Андрей Юрьевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
Евлампьев Андрей Юрьевич, ООО «ИПК «Электрон-Маш»
13:45-14:00
Математическая модель электростатического крепёжного устройства для оборудования по производству электронной компонентной базы
Трактирщиков Виктор Сергеевич, НИУ МИЭТ
Трактирщиков Виктор Сергеевич, НИУ МИЭТ
14:00-15:00
ОБЕД
15:00-15:15
Разработка КМОП преобразователя сигнала для безметочного детектирования маркеров заболеваний на основе импедансометрии
Лазарев Артём Андреевич, ИНМЭ РАН
Лазарев Артём Андреевич, ИНМЭ РАН
15:15-15:30
ОНЛАЙН
Использование фемтосекундного лазера для скрайбирования кристаллов β-Ga2O3 с последующим скалыванием
Кузьмин Роман Александрович, Университет ИТМО
Использование фемтосекундного лазера для скрайбирования кристаллов β-Ga2O3 с последующим скалыванием
Кузьмин Роман Александрович, Университет ИТМО
15:30-15:45
Исследование процессов формирования медной коммутации на поверхности заготовок из различных высоконаполненных формовочных компаундов посредством микрообработки инфракрасным наносекундным лазером
Беляков Игорь Андреевич, НИУ МИЭТ
Беляков Игорь Андреевич, НИУ МИЭТ
15:45-16:00
Обзор основных конструктивных решений, применяемых в производственном оборудовании для групповой технологии установки шариков припоя
Кухарь Максим Вадимович, НИУ МИЭТ
Кухарь Максим Вадимович, НИУ МИЭТ
16:00-16:15
Разработка алгоритма верификации конфигурации ПЛИС
Журавлёв Владислав Анатольевич, НИЦ «Курчатовский институт»
Журавлёв Владислав Анатольевич, НИЦ «Курчатовский институт»
16:15-16:30
Исследование возможностей создания прототипа геофона на основе микромеханических датчиков
Усов Михаил Игоревич, НИУ МИЭТ
Усов Михаил Игоревич, НИУ МИЭТ
16:30-17:00
КОФЕ-БРЕЙК, стендовые доклады участников
17:00-17:15
Компенсация дрейфа ионно-чувствительных сенсоров в реальном времени методами машинного обучения для задач экспресс-диагностики
Головков Максим Вячеславович, ИНМЭ РАН
Головков Максим Вячеславович, ИНМЭ РАН
17:15-17:30
ОНЛАЙН
Проектирование HART-модема на основе восстановления векторной диаграммы сигнала
Тарасов Антон Ильич, РТУ МИРЭА
Проектирование HART-модема на основе восстановления векторной диаграммы сигнала
Тарасов Антон Ильич, РТУ МИРЭА
17:30-17:45
Интеграция открытого инструмента статического временного анализа в программу логического ресинтеза цифровых СБИС
Пахомов Леонид Алексеевич, НИУ МИЭТ
Пахомов Леонид Алексеевич, НИУ МИЭТ
17:45-18:00
Особенности контроля перекрёстных помех в мультикристальных сборках и микроэлектронных системах в корпусе
Семёнов Сергей Петрович, НИУ МИЭТ
Семёнов Сергей Петрович, НИУ МИЭТ
18:00-18:15
Модулятор Маха-Цендера на TFLN с золотым основанием
Егоров Павел Александрович, НИУ МИЭТ
Егоров Павел Александрович, НИУ МИЭТ
18:15-18:30
Блок управления питанием для контроллера PCI Express
Зайцева Екатерина Сергеевна, НИЦ «Курчатовский институт» – НИИСИ
Зайцева Екатерина Сергеевна, НИЦ «Курчатовский институт» – НИИСИ
18:30-18:45
ОНЛАЙН
Сравнительный анализ методик измерения радиочастотных характеристик транзисторов методом переменной нагрузки (Load Pull) с учётом импеданса нагрузки и генератора на второй гармонике
Аришина Кристина Николаевна, НИУ МИЭТ
Сравнительный анализ методик измерения радиочастотных характеристик транзисторов методом переменной нагрузки (Load Pull) с учётом импеданса нагрузки и генератора на второй гармонике
Аришина Кристина Николаевна, НИУ МИЭТ
18:45-19:00
Моделирование чувствительных элементов микромеханических датчиков
Зо Йе Хтет, НИУ МИЭТ
Зо Йе Хтет, НИУ МИЭТ
19:15
Закрытие предконференции №2
Заочные доклады
1
Контактное термическое сопротивление
к.т.н. Криворучко Марк Муратович, НИУ МИЭТ
к.т.н. Криворучко Марк Муратович, НИУ МИЭТ
Сессия стендовых докладов
1
Влияние параметров плазмы на процесс синтеза массива углеродных нанотрубок
Рязанов Роман Михайлович, НПК «Технологический центр»
Рязанов Роман Михайлович, НПК «Технологический центр»
2
Специализированное программное обеспечение для визуализации результатов TRAN-анализа в SPICE-симуляторах
Данилкин Данила Алексеевич, НИУ МИЭТ
Данилкин Данила Алексеевич, НИУ МИЭТ
3
Физико-технологические закономерности формирования шероховатости линий при фотолитографии и их влияние на воспроизводимость критических размеров
Гуляев Никита Дмитриевич, НИУ МИЭТ
Гуляев Никита Дмитриевич, НИУ МИЭТ
4
Технологические подходы к снижению LER-эффекта в производстве наноэлектронных устройств
Салахов Иван Дмитриевич, НИУ МИЭТ
Салахов Иван Дмитриевич, НИУ МИЭТ
5
Программа для экстракции SPICE-параметров FinFET транзисторов
Жегалов Николай Владимирович, НИУ МИЭТ
Жегалов Николай Владимирович, НИУ МИЭТ
6
Предиктивное моделирование LER- и LWR-эффектов
Цыкин Роман Денисович, НИУ МИЭТ
Цыкин Роман Денисович, НИУ МИЭТ
На Предконференции №2 «Электронная компонентная база и радиоэлектронные системы» рассматриваются вопросы проектирования, технологии изготовления электронной компонентной базы, микросистемной техники, анализ квантовых эффектов, исследование материалов, технологических процессов, технологического оборудования.
Обсуждаются вопросы проектирования, анализа и экспериментального исследования информационно-управляющих и радиотехнических систем, включая исследование и разработку сложно-функциональных блоков, структурных и архитектурных решений, алгоритмов цифровой обработки сигналов и способов их технической реализации.
Секции Предконференции:
— Информационно-управляющие и радиотехнические системы;
— Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники;
— Микросистемы. Сенсоры и актюаторы;
— Специальное технологическое оборудование;
— Квантовые технологии;
— Материалы микро- и наноэлектроники.
Обсуждаются вопросы проектирования, анализа и экспериментального исследования информационно-управляющих и радиотехнических систем, включая исследование и разработку сложно-функциональных блоков, структурных и архитектурных решений, алгоритмов цифровой обработки сигналов и способов их технической реализации.
Секции Предконференции:
— Информационно-управляющие и радиотехнические системы;
— Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники;
— Микросистемы. Сенсоры и актюаторы;
— Специальное технологическое оборудование;
— Квантовые технологии;
— Материалы микро- и наноэлектроники.
Повышайте квалификацию на Российском форуме «Микроэлектроника»: дополнительное развитие с пользой и перспективами!
Всем зарегистрированным участникам Российского форума «Микроэлектроника» предлагается по желанию пройти расширенную программу повышения квалификации (дополнительного профессионального образования – ПК ДПО) и получить новый образовательный опыт.
Подробнее о программе повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ →
Если вы участник Предконференции №2 в вашем Личном кабинете участника имеется возможность зарегистрироваться на обучение, выбрав программу от одного из ведущих организаций-поставщиков образовательных услуг НИУ МИЭТ.
Для прохождения программы повышения квалификации «Основные направления развития отечественной электронной компонентной базы и средств её проектирования и производства» необходимо посещение Предконференции №2 и одной из секций на выбор – Секции №3, №4, №8, №11 научной конференции «ЭКБ и микроэлектронные модули» форума «Микроэлектроника».
Программа разработана в Передовой инженерной школе «Средства проектирования и производства электронной компонентной базы».
Форма обучения: очно-заочная.
Докладчики Форума получат преимущества при прохождении итоговой аттестации.
Всем зарегистрированным участникам Российского форума «Микроэлектроника» предлагается по желанию пройти расширенную программу повышения квалификации (дополнительного профессионального образования – ПК ДПО) и получить новый образовательный опыт.
Подробнее о программе повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ →
Если вы участник Предконференции №2 в вашем Личном кабинете участника имеется возможность зарегистрироваться на обучение, выбрав программу от одного из ведущих организаций-поставщиков образовательных услуг НИУ МИЭТ.
Для прохождения программы повышения квалификации «Основные направления развития отечественной электронной компонентной базы и средств её проектирования и производства» необходимо посещение Предконференции №2 и одной из секций на выбор – Секции №3, №4, №8, №11 научной конференции «ЭКБ и микроэлектронные модули» форума «Микроэлектроника».
Программа разработана в Передовой инженерной школе «Средства проектирования и производства электронной компонентной базы».
Форма обучения: очно-заочная.
Докладчики Форума получат преимущества при прохождении итоговой аттестации.
Условия участия в Предконференции №2
Финансовые условия участия в Форуме гибко учитывают выбранный формат участия – очное или заочное, только в Предконференции или во всех мероприятиях Форума, а также предусматривают существенные льготы для аспирантов и студентов, в том числе бесплатное заочное участие в Предконференции. Принятые условия позволят всем категориям специалистов наиболее эффективно участвовать в работе конференции и публиковать свои работы при оптимальном бюджете участия, а также при минимизации влияния медицинских рисков и ограничений.
Докладчики Предконференции №2 имеют возможность публикации своих докладов в общем порядке, установленном для всех участников Форума.
Докладчики Предконференции №2 — участники основных мероприятий Форума — получат возможность представить свои материалы в формате стендового доклада и принять участие в его обсуждении, а также без дополнительной оплаты пройти программу повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ.
Финансовые условия участия в Форуме гибко учитывают выбранный формат участия – очное или заочное, только в Предконференции или во всех мероприятиях Форума, а также предусматривают существенные льготы для аспирантов и студентов, в том числе бесплатное заочное участие в Предконференции. Принятые условия позволят всем категориям специалистов наиболее эффективно участвовать в работе конференции и публиковать свои работы при оптимальном бюджете участия, а также при минимизации влияния медицинских рисков и ограничений.
Докладчики Предконференции №2 имеют возможность публикации своих докладов в общем порядке, установленном для всех участников Форума.
Докладчики Предконференции №2 — участники основных мероприятий Форума — получат возможность представить свои материалы в формате стендового доклада и принять участие в его обсуждении, а также без дополнительной оплаты пройти программу повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ.
СОСТАВ ОРГКОМИТЕТА ПРЕДКОНФЕРЕНЦИИ №2
- академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, НИУ МИЭТ
- д.т.н., проф. РАН Переверзев Алексей Леонидович, НИУ МИЭТ
- к.т.н. Бирюков Михаил Георгиевич, АО «НИИТМ»
- д.ф.-м.н. Богданов Юрий Иванович, ФТИАН
- д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, АО «НИИМЭ»
- д.т.н. Бычков Игнат Николаевич, ПАО «ИНЭУМ им. И. С. Брука»
- д.ф.м.н. Павлов Александр Александрович, ИНМЭ РАН
- член-корреспондент РАН Светухин Вячеслав Викторович, НПК «Технологический центр»
- д.т.н. Тимошенков Сергей Петрович, НИУ МИЭТ
- д.т.н. Шелепин Николай Алексеевич, НИУ МИЭТ
- к.ф.-м.н. Шипицин Дмитрий Святославович, АО «НИИМЭ»
- д.т.н. Якунин Алексей Николаевич, НИУ МИЭТ