НИИ молекулярной электроники – 60 лет

Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ) был основан 9 марта 1964 года приказом Государственного комитета по электронной технике СССР для разработки и опытного производства монолитных интегральных схем.

Под началом своего первого руководителя академика АН СССР Камиля Ахметовича Валиева институт получил уникальный статус и дальнейшее развитие как передовая отечественная научная школа в области разработки базовых технологических процессов и изделий микроэлектроники. С первых дней своей работы НИИМЭ выполнял головную роль по созданию нового поколения технологического, испытательного, измерительного оборудования и материалов, организуя кооперацию ведущих предприятий страны.

В НИИМЭ был разработан первый базовый планарно-эпитаксиальный технологический процесс и начат выпуск логических и линейных микросхем, разработана планарная технология арсенид-галлиевых микросхем, внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления интегральных схем, изготовлены первые отечественные цифровые и аналоговые микросхемы массового применения, микропроцессорные БИС ТТЛ с диодами Шоттки, создана первая в стране мощная САПР БИС. Созданные в НИИМЭ технологические комплексы изготовления сверхскоростных транзисторов и твердотельных приборов микроэлектроники, а также интегральных схем на их основе, были выполнены на уровне мировых достижений, что позволяло обеспечивать высокий авторитет отечественных научных исследований.

На разработанных институтом микросхемах строилась важнейшая для страны аппаратура: ЕС ЭВМ, «Эльбрус», «Ряд» и «Булат», предназначенные для решения стратегических проблем народного хозяйства СССР и стран СЭВ, обороны страны. Были разработаны комплекты микросхем для бортовых систем управления спутников и межпланетных космических аппаратов, ракетно-комического комплекса «Энергия-Буран», авиационной и корабельной аппаратуры, радиолокационных систем, промышленной и бытовой аппаратуры. За разработку элементной базы для Единой системы электронных вычислительных машин (ЕС ЭВМ) институт в 1983 году был отмечен государственной наградой – орденом Трудового Красного Знамени.

В 1991 году генеральным директором «НИИМЭ и завода «Микрон» был назначен Геннадий Яковлевич Красников, работавший в НИИМЭ с 1981 года.

В 2000-е годы в НИИМЭ были созданы и развиты научные основы промышленной технологии производства сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами, построена и обоснована комплексная многоуровневая система, включающая в себя технологические процессы, оборудование, методы и средства моделирования проектирования, диагностики, контроля и условия производства конкурентоспособных отечественных изделий. Был обеспечен выход на новые технологические уровни в разработке, производстве и измерении элементной базы топологического уровня 180-90-65 нм. Разработанные НИИМЭ микросхемы обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.

В 2011 году НИИМЭ был разработан первый кристалл для транспортных приложений, модификации которого используются сегодня во всех проездных билетах транспортной сети Москвы и других регионов России.

В 2012 году в связи с переходом в России на электронные паспортно-визовые документы НИИМЭ был разработан микроконтроллер для государственных удостоверений личности, который сейчас используется во всех российских загранпаспортах.

В 2015 году в НИИМЭ был разработан уникальный отечественный банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт «МИР», который сегодня является основой безопасного функционирования национальной платежной системы.

В 2016 году генеральный директор НИИ молекулярной электроники академик РАН Г. Я. Красников Указом президента РФ был назначен руководителем приоритетного направления по электронным технологиям РФ, а сам институт Распоряжением Правительства РФ был определен организацией, ответственной за реализацию приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ. В этом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли РФ по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.

Институт всегда отличался и гордится своим уникальным кадровым и научно-образовательным потенциалом. В разное время в институте работали академики Академии наук СССР и Российской академии наук К. А. Валиев, Ю. В. Копаев, Г. Я. Красников, А. Л. Стемпковский, члены-корреспонденты Б. В. Баталов, Е. С. Горнев, Б. Г. Грибов, В. Г. Мокеров. За выдающиеся научные разработки в области проектирования и создания цифровых интегральных схем широкого применения десятки сотрудников института неоднократно становились лауреатами Государственных и премий СССР и России, премий Совета министров СССР и Правительства РФ, премий Ленинского комсомола, получали поощрения и благодарности от профильных министерств и ведомств за разработку и освоение в производстве новых изделий электронной техники.

Сегодня в составе Группы Компаний «Элемент» НИИМЭ решает актуальные задачи современной и перспективной нано- и микроэлектроники. Коллектив института под научным руководством президента Российской академии наук, академика РАН, руководителя приоритетного направления по электронным технологиям, председателя программного комитета Российского форума «Микроэлектроника», почетного президента Форума Геннадия Яковлевича Красникова продолжает развивать научные школы, проводя исследования и опытно-конструкторские работы по федеральным программам, совершенствуя технологии и разрабатывая новые изделия мирового уровня. НИИМЭ ведет разработки в области новых технологических процессов и физики полупроводников, формирует научную и технологическую базу нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении с интеграцией цифровых и СВЧ компонентов, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, в том числе квантовых, разрабатывает процессоры и микроконтроллеры.

Новым направлением исследований института стало изучение нейроморфных систем, максимально приближающих принцип действия нейронных сетей, лежащих в основе искусственного интеллекта, к принципам действия живого мозга. Работы сфокусированы на применении методов машинного обучения для решения прикладных задач, а также разработке нейропроцессоров для обработки нейросетей. Развитие мемристивных элементов в качестве элементной базы для реализации нейроморфных вычислений будет способствовать созданию и внедрению энергоэффективной памяти и процессоров нового поколения для высокоскоростных нейроморфных вычислений.

Поздравляем коллектив НИИ молекулярной электроники с юбилеем, желаем трудовых побед, процветания и развития!