Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
Вернуться назадГруппа компаний «Элемент» представит инновационные разработки на форуме «Микроэлектроника 2024»
ГК «Элемент» проведет круглый стол, посвященный ключевым вопросам развития микроэлектронной отрасли, и представит на выставке новейшие разработки, способные изменить будущее индустрии.
Особое внимание уделят двум установкам плазмохимического осаждения, созданным на базе АО НИИТМ, которые предназначены для производства тонких пленок вольфрама и диэлектрических слоев SiO2/SiON/SiONGe. Эти инновации не только укрепят позиции России в области микроэлектроники, но и помогут обеспечить технологический суверенитет страны.
Создание в РФ специального технологического оборудования является стратегически важной задачей, выполнение которой позволит обеспечить технологический суверенитет страны.
В этой связи в АО НИИТМ (ГК «Элемент») началась разработка двух перспективных установок плазмохимической обработки кремниевых пластин диаметром до 200 мм: одна для осаждения пленок вольфрама, вторая – для пленок SiO2/SiON/SiONGe.
Современное производство микросхем («чипов») основано на множестве сложных технологических процессов. Одним из таких является химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ, англ. Chemical vapor deposition, CVD). Этот способ позволяет получить тонкие пленки материалов с высокой степенью чистоты. Цикл производства микросхем включает десятки таких операций для формирования функциональных слоев. Разработка и производство ХОГФ(CVD)-установок и установок плазменной обработки пластин является одним из базовых направлений деятельности зеленоградского АО НИИТМ.
Проект «Изофаз-В», выполняемый в кооперации с АО «НИИМЭ» (ГК «Элемент»), включает в себя разработку экспериментальных и опытных образцов оборудования для проведения процессов химического осаждения вольфрама из газовой фазы. Данный процесс необходим для создания микросхем с топологическими нормами 180 нм и менее. Тонкие пленки вольфрама применяются для контактов и межсоединений при создании слоев металлизации микросхем.
Проект «Изофаз-Д» также предполагает разработку, сборку и испытание экспериментальных и опытных образцов оборудования для проведения процессов химического осаждения SiO2/SiON/SiONGe из газовой фазы. Перечисленные диэлектрические слои выполняют роль электрической изоляции микросхем.
Потенциальными потребителями данного оборудования являются предприятия – производители ЭКБ. Оба проекта выполняются по заказу и при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации.
Создание в РФ специального технологического оборудования является стратегически важной задачей, выполнение которой позволит обеспечить технологический суверенитет страны.
В этой связи в АО НИИТМ (ГК «Элемент») началась разработка двух перспективных установок плазмохимической обработки кремниевых пластин диаметром до 200 мм: одна для осаждения пленок вольфрама, вторая – для пленок SiO2/SiON/SiONGe.
Современное производство микросхем («чипов») основано на множестве сложных технологических процессов. Одним из таких является химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ, англ. Chemical vapor deposition, CVD). Этот способ позволяет получить тонкие пленки материалов с высокой степенью чистоты. Цикл производства микросхем включает десятки таких операций для формирования функциональных слоев. Разработка и производство ХОГФ(CVD)-установок и установок плазменной обработки пластин является одним из базовых направлений деятельности зеленоградского АО НИИТМ.
Проект «Изофаз-В», выполняемый в кооперации с АО «НИИМЭ» (ГК «Элемент»), включает в себя разработку экспериментальных и опытных образцов оборудования для проведения процессов химического осаждения вольфрама из газовой фазы. Данный процесс необходим для создания микросхем с топологическими нормами 180 нм и менее. Тонкие пленки вольфрама применяются для контактов и межсоединений при создании слоев металлизации микросхем.
Проект «Изофаз-Д» также предполагает разработку, сборку и испытание экспериментальных и опытных образцов оборудования для проведения процессов химического осаждения SiO2/SiON/SiONGe из газовой фазы. Перечисленные диэлектрические слои выполняют роль электрической изоляции микросхем.
Потенциальными потребителями данного оборудования являются предприятия – производители ЭКБ. Оба проекта выполняются по заказу и при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации.
Организаторами форума «Микроэлектроника 2024» выступают АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и образования Российской Федерации, Группы компаний «Элемент». Генеральные партнеры – Сбер, Фонд перспективных исследований (ФПИ), ООО «ХайТэк». Атомный партнер – Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом». Технологический партнер – АО «Крафтвэй корпорэйшн ПЛС» (торговая марка Kraftway). Инновационные партнеры – АО «ОКБ «Астрон», ООО «Лазерный центр», Компания Т8, НИУ МИЭТ, Компания OpenYard. Партнер Научной конференции – ООО «НМ-Тех». Образовательный партнер – Университет «Сириус». Партнеры Школы молодых учёных – Группа компаний «Элемент», Сбер, Компания YADRO. Спортивный партнер – АО «Микрон». Партнеры – АО «АИСА ИТ-Сервис», ООО «ФОРМ», ФГАОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Т1 Интеграция, НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, ООО «НПП «Итэлма», АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Российский научный фонд, АО НИИТМ, Консорциум робототехники и систем интеллектуального управления, Альянс RISC-V, Консорциум «Доверенные и экстремальные электронные системы» (НИЯУ МИФИ – АО «ЭНПО СПЭЛС»), ООО «Остек-ЭК», ООО «ПЛАНАР». Партнер воды – АО «Сигналтек». Партнер детской программы – НИУ МИЭТ. Партнер сувенирной продукции – INWAVE. Генеральный информационный партнер – АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА», Генеральное информационное агентство «ТАСС». Оператор Форума – Агентство деловых коммуникаций «ПрофКонференции».