Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
Вернуться назадПленарные доклады в Школе молодых ученых в рамках форума «Микроэлектроника 2024» вызвали большой интерес
Несколько дней работы Школы молодых ученых показали большой интерес к этому мероприятию со стороны как начинающих, так и состоявшихся специалистов в области микроэлектроники. В рамках пленарных заседаний участники представили результаты выполненных исследований и разработок, рассказали о своих достижениях, обсудили актуальные научные задачи и подходы к их решению.
Перспективам развития методов ультрафиолетовой литографии посвятил свой доклад член-корр. РАН, д.т.н., проф. Горнев Евгений Сергеевич (АО «НИИМЭ»). Он рассказал о том, что основной характеристикой литографии является разрешающая способность, т.е. возможность воспроизводить мелкие элементы рисунка. «Сегодня проектные нормы характеризуют плотность размещения транзисторов, а не размеры микросхемы. При нормах "3 нм" на 1 квадратном миллиметре размещаются до 300 млн транзисторов, а при нормах "1 нм" – до 1 млрд транзисторов», – объяснил докладчик.
Еще одно перспективное направление исследований в области электроники представил в своем докладе академик РАН, д.ф.-м.н., проф. Никитов Сергей Аполлонович (ИРЭ им. В. А. Котельникова). «Спинтроника – это особое направление электроники, построенное на принципе передачи спина электрона, а не его заряда. Она позволяет создавать наноосцилляторы с широким диапазоном настройки частот вплоть до терагерцев. На их основе создаются перестраиваемые источники СВЧ-излучения и память большой плотности (до нескольких Тбайт на квадратный дюйм). Это, в свою очередь, делает возможным создание нейроморфных сетей и компьютеров с высоким быстродействием», – пояснил ученый.
Перспективам высокопроизводительной печатной электроники на основе неорганических полупроводников был посвящен доклад член-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Иванова Виктора Владимировича (МФТИ). «На современном этапе методы печатной электроники вносят значимый вклад в общее развитие технологий микроэлектроники. Развитие технологий при этом идет не по пути замены, а за счет объединения преимуществ двух подходов – классической интегральной технологии и печатной, что позволяет находить новые решения в создании устройств микроэлектроники», – отметил ученый.
Член-корр. РАН, д.ф.-м.н. Жуков Алексей Евгеньевич (НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург) рассказал о применении квантовых точек при создании лазеров для интегральной оптоэлектроники. Как объяснил докладчик, полупроводниковые квантовые точки перспективны для оптической передачи данных, особенно при использовании их в кремниевой фотонике. Применение квантовых точек In(Ga)As позволяет создать не только низкопороговые, температурно-стабильные оптические передатчики, но и фотоприемники с рекордно-низкими темновыми токами. Микродисковые лазеры, созданные на квантовых точках позволили достичь скорости передачи данных вплоть до 12 Гбит/с при оцененном энергопотреблении 1,5 пДж/бит. Максимальная температура генерации (при непрерывной накачке) составила 100–110°С, а при нормальных условиях микролазер может работать без принудительного охлаждения.
Член-корр. РАН, д.ф.-м.н. Жуков Алексей Евгеньевич (НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург) рассказал о применении квантовых точек при создании лазеров для интегральной оптоэлектроники. Как объяснил докладчик, полупроводниковые квантовые точки перспективны для оптической передачи данных, особенно при использовании их в кремниевой фотонике. Применение квантовых точек In(Ga)As позволяет создать не только низкопороговые, температурно-стабильные оптические передатчики, но и фотоприемники с рекордно-низкими темновыми токами. Микродисковые лазеры, созданные на квантовых точках позволили достичь скорости передачи данных вплоть до 12 Гбит/с при оцененном энергопотреблении 1,5 пДж/бит. Максимальная температура генерации (при непрерывной накачке) составила 100–110°С, а при нормальных условиях микролазер может работать без принудительного охлаждения.
На физико-технологических принципах фотонно-электронных систем обработки данных в своем докладе остановился д.ф.-м.н., проф. Итальянцев Александр Георгиевич (АО «НИИМЭ»). Он отметил, что фотоника превосходит электронные решения по энергопотреблению, но на сегодняшний день она лишь частично решает задачу и не может обойтись без электронных ИС. Поэтому пока ее потенциальные преимущества в быстродействии реализуются не полностью. Однако сегодня уже создан прототип нейроморфной фотонной сети, что позволит в будущем преодолеть эти ограничения.
Перспективам развития квантовой наноэлектроники посвятил свой доклад д.ф.-м.н. Арутюнов Константин Юрьевич (МИЭМ НИУ ВШЭ). «Из-за эффекта квантовых флуктуаций не удается избежать ограничений на протекание электрического тока при уменьшении размеров проводника. Однако, можно изготовить структуры, учитывающие эти ограничения и получить проводники с минимальными потерями и даже создать более точный эталон тока», – отметил ученый.
Особенности приборно-технологического проектирования дискретных полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем с применением методов машинного обучения осветил в своем докладе д.т.н., проф. Петросянц Константин Орестович (МИЭМ НИУ ВШЭ). Как пояснил докладчик, TCAD из инструмента научного работника и исследователя преобразуется в инструмент технолога и инженера-разработчика п/п приборов. Применение методов машинного обучения позволяет расширить возможности этого класса САПР.
Участники пленарных заседаний отметили высокий уровень представленных докладов.
Особенности приборно-технологического проектирования дискретных полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем с применением методов машинного обучения осветил в своем докладе д.т.н., проф. Петросянц Константин Орестович (МИЭМ НИУ ВШЭ). Как пояснил докладчик, TCAD из инструмента научного работника и исследователя преобразуется в инструмент технолога и инженера-разработчика п/п приборов. Применение методов машинного обучения позволяет расширить возможности этого класса САПР.
Участники пленарных заседаний отметили высокий уровень представленных докладов.
***
Организаторами форума «Микроэлектроника 2024» выступают АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и образования Российской Федерации, Группы компаний «Элемент». Генеральные партнеры – ОАО «РЖД», Сбер, Фонд перспективных исследований (ФПИ), ООО «ХайТэк». Атомный партнер – Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом». Технологический партнер – АО «Крафтвэй корпорэйшн ПЛС» (торговая марка Kraftway). Инновационные партнеры – АО «ОКБ «Астрон», ООО «Лазерный центр», Компания Т8, НИУ МИЭТ, Компания OpenYard. Партнер Научной конференции – ООО «НМ-Тех». Образовательный партнер – Университет «Сириус». Стратегический информационный партнер – Генеральное информационное агентство «ТАСС». Партнеры Школы молодых учёных – Группа компаний «Элемент», Сбер, Компания YADRO. Спортивный партнер – АО «Микрон». Партнеры – АО «АИСА ИТ-Сервис», ООО «ФОРМ», ФГАОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Т1 Интеграция, АО «НИИ «Полюс», ООО «НПП «Итэлма», АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Российский научный фонд, АО НИИТМ, Консорциум робототехники и систем интеллектуального управления, Альянс RISC-V, Консорциум «Доверенные и экстремальные электронные системы» (НИЯУ МИФИ – АО «ЭНПО СПЭЛС»), ООО «Остек-ЭК», ООО «ПЛАНАР». Партнер воды – АО «Сигналтек». Партнер детской программы – НИУ МИЭТ. Партнер сувенирной продукции – INWAVE. Генеральный информационный партнер – АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА». Оператор Форума – Агентство деловых коммуникаций «ПрофКонференции».
Организаторами форума «Микроэлектроника 2024» выступают АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и образования Российской Федерации, Группы компаний «Элемент». Генеральные партнеры – ОАО «РЖД», Сбер, Фонд перспективных исследований (ФПИ), ООО «ХайТэк». Атомный партнер – Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом». Технологический партнер – АО «Крафтвэй корпорэйшн ПЛС» (торговая марка Kraftway). Инновационные партнеры – АО «ОКБ «Астрон», ООО «Лазерный центр», Компания Т8, НИУ МИЭТ, Компания OpenYard. Партнер Научной конференции – ООО «НМ-Тех». Образовательный партнер – Университет «Сириус». Стратегический информационный партнер – Генеральное информационное агентство «ТАСС». Партнеры Школы молодых учёных – Группа компаний «Элемент», Сбер, Компания YADRO. Спортивный партнер – АО «Микрон». Партнеры – АО «АИСА ИТ-Сервис», ООО «ФОРМ», ФГАОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Т1 Интеграция, АО «НИИ «Полюс», ООО «НПП «Итэлма», АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Российский научный фонд, АО НИИТМ, Консорциум робототехники и систем интеллектуального управления, Альянс RISC-V, Консорциум «Доверенные и экстремальные электронные системы» (НИЯУ МИФИ – АО «ЭНПО СПЭЛС»), ООО «Остек-ЭК», ООО «ПЛАНАР». Партнер воды – АО «Сигналтек». Партнер детской программы – НИУ МИЭТ. Партнер сувенирной продукции – INWAVE. Генеральный информационный партнер – АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА». Оператор Форума – Агентство деловых коммуникаций «ПрофКонференции».