Наличие собственного производства материалов для микроэлектроники – фундамент для обеспечения технологического суверенитета страны. О значимости данной проблематики говорит контроль со стороны Президента России Владимира Путина, который включил её в перечень поручений по итогам пленарного заседания и посещения выставки Форума будущих технологий, а также встречи с учёными, состоявшихся 21 февраля текущего года. Одной из составляющих этой темы посвящён круглый стол «Перспективы создания оптических материалов и резистов для передовых литографических технологий», который состоится в рамках
деловой программы Российского форума «Микроэлектроника 2025».
Мероприятие организуется на базе
секции №13 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы» Научной конференции «ЭКБ и электронные модули».
Модераторы круглого стола:
- Дмитрий Валентинович Рощупкин, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (ФГБУН ИПТМ РАН), руководитель секции №13.
- Валерий Павлович Бокарёв, доктор технических наук (АО «НИИМЭ»), заместитель руководителя секции №13.
Организаторы мероприятия поставили задачу обсудить перспективы налаживания в России производства материалов для изготовления фотошаблонов и оптических элементов степперов, а также резистов.
Развитие современной микро- и наноэлектроники, миниатюризация во многом определяются развитием литографических процессов.
Для совершенствования данных процессов критическими являются два направления:
- Для фотолитографических процессов и наностеперов важным является поиск перспективных материалов для создания фотошаблонов и оптических элементов. Если для процессов с длинами волн 200–250 нм возможно использование синтетического кварца, то на длинах волн менее 200 нм необходимо уже применение фторидов. В обоих случаях стоит задача получения особо чистых материалов, так как примеси влияют на пропускание оптического излучения. Также следует отметить, что важным является, скорее всего, использование монокристаллов с совершенной кристаллической структурой, так как дефекты (двойники, включения и др.) приводят к рассеянию оптического излучения. Насущной задачей является и поиск исходного природного сырья.
- Для процессов формирования топологии с использованием перспективных литографических процессов необходимыми материалами являются резисты. Сегодня в стране ведутся разработки перспективных резистов для процессов фотолитографии, электронно-лучевой, ионно-лучевой и рентгеновской литографии, наноимпринтинга.
Выступить на круглом столе приглашены ведущие специалисты АО «НИИМЭ», ИПТМ РАН, ФИЦ ПХФ И МХ РАН, ООО «Поликетон», Южного федерального университета, ИФТТ РАН.
Приглашаем присоединиться к важной дискуссии всех интересующихся проблематикой секции №13 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы».
Следите за анонсами о месте и времени проведения круглого стола.
Материал подготовлен пресс-службой Российского форума «Микроэлектроника»