Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы

Развитие современной микро- и наноэлектроники требует поиска новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами и развитие новых методов диагностики. Этим задачам посвящена работа Секции №13 Российского форума «Микроэлектроника» «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы».

В рамках обсуждений докладов Секции будут расширены горизонты познаний и заложены основы технологического прорыва в области фундаментальных и поисковых научных исследований.

Поиск перспективных материалов для спинтроники и фотоники, разработка новой элементной базы на основе энергоэффективных мемристоров для нейроморфных вычислений, наноэлектроника на основе 1D и 2D материалов (углеродные нанотрубки, графен и графеноподобные материалов, наностержни ZnO, AlN, GaN), создание эпитаксиальных пленок карбида кремния для микроэлектроники, разработка атомарногладких полупроводниковых пленок, резистов для технологических процессов фотолитографии, электроннолучевой, ионнолучевой литографии, рентгеновской литографии и наноимпринтинга, множество других материалов, физических подходов и технологий найдут свое отражение в работе секции №14 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы». Ведущие специалисты отрасли и исследователи-разработчики подготовили интересные доклады и готовы к широкой дискуссии с пытливой аудиторией слушателей.

Также поиск новых материалов и исследования их структурных и физических свойств неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники, так как только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике. Здесь основными методами исследований и диагностики выступают методы просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии, рентгеновской микроскопии и спектроскопии, методы нейтронографии и масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой. Данные подходы позволяют изучать не только работу элементов ЭКБ в режиме реального времени, но и исследовать влияние отдельных дефектов кристаллической структуры на работу процессоров.

Цель работы Секции – выработать в ходе дискуссии новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественной наукой и наукоемкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы создания инновационных материалов и технологий для формирования передовой микро- и наноэлектроники как одного из базовых элементов наукоемкого технологического суверенитета Российской Федерации.

#спинтроника #фотоника #мемристоры #низкоразмерные материалы и структуры #нанокомпозиты – широкозонные полупроводники #углеродные нанотрубки #графен и графеноподобные материалы #искусственные алмазы #фоторезисты #атомарногладкие полупроводниковые пленки #эпитаксиальные наноструктуры #наностержни широкозонных полупроводников