Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
СЕКЦИЯ №13

Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы

24–26 сентября 2025
Университет «Сириус» Зал №13
Руководитель секции
Рощупкин Дмитрий Валентинович
Доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН,
директор ФГБУН ИПТМ РАН
Заместитель руководителя секции
Бокарев Валерий Павлович
Доктор технических наук, начальник отдела АО «НИИМЭ»
Программа Секции №13
В программе возможны изменения
24 сентября 2025
09:00-09:20
Компоненты литографических материалов и инновационные продукты для органической и гибридной электроники
к.х.н. Аккуратов Александр Витальевич, ФИЦ ПХФ и МХ РАН
09:20-09:40
Опыт ФИЦ ПХФ и МХ РАН в разработке материалов для микроэлектроники
к.х.н. Малков Георгий Васильевич, ФИЦ ПХФ и МХ РАН
09:40-10:00
Разработка полимерной основы для i-line фоторезистов
к.х.н. Курбатов Владимир Геннадьевич, ФИЦ ПХФ И МХ РАН
10:00-10:20
Разработка и исследование электронно-лучевых резистов на основе сополимеров метилметакрилата и метакриловой кислоты
Бороздина Алиса Адиповна, ФИЦ ПХФ и МХ РАН
10:20-10:40
Дозовые характеристики электронно-лучевых резистов на основе сополимеров метилметакрилата и метакриловой кислоты
к.ф.н. Князев Максим Александрович, ИПТМ РАН
10:40-11:00
Материалы микро – и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы
д.ф.-м.н. Зайцев Сергей Иванович, ИПТМ РАН
11:00-11:30
КОФЕ-БРЕЙК
11:30-11:50
Технология производства ПАВ для безметального проявителя
к.х.н. Тарасов Александр Евгеньевич, ФИЦ ПХФ И МХ РАН
11:50-12:10
Разработка и серийное освоение производства материалов для корпусирования микросхем в многовыводные полимерные корпуса
к.т.н. Пахомов Кирилл Сергеевич, ФИЦ ПХФ и МХ РАН
12:10-12:30
Исследование процесса плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения тонких пленок оксида тантала для применения их в качестве активных слоев элементов хранения резистивной памяти
к.ф.-м.н. Ганыкина Екатерина Андреевна, АО «НИИМЭ»
12:30-12:50
Синхротронные и нейтронные исследования в России: текущий статус и перспективы
к.ф.-м.н. Марченков Никита Владимирович, НИЦ «Курчатовский институт»
13:00-15:00
ОБЕД
25 сентября 2025
09:00-09:20
Применение синхротронного излучения для диагностики акустоэлектронных устройств
член-корр. РАН, д.ф.-м.н. проф., Рощупкин Дмитрий Валентинович, ИПТМ РАН
09:20-09:40
Диагностика материалов и устройств микроэлектроники с использованием синхротронного излучения
д.ф.-м.н. Солдатов Александр Владимирович, Южный федеральный университет
09:40-10:00
Применение вакуумного ультрафиолетового излучения в микро- и наноэлектронике
д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, АО «НИИМЭ»
10:00-10:20
Динамический краевой угол как мера смачиваемости материалов
к.ф.н. Лоскутов Валентин Валентинович, ФГБОУ ВО «Марийский государственный университет»
10:20-10:40
Эпитаксиальные структуры 4H-SiC диаметром до 150 мм
к.т.н. Федотов Сергей Дмитриевич, АО «ЭПИЭЛ»
10:40-11:00
Влияние размерных факторов на свойства ультратонких металлических пленок, полученных методом магнетронного напылении для серийного производства МЭМС
к.т.н. Божко Сергей Алексеевич, ООО «МАППЕР»
11:00-11:30
КОФЕ-БРЕЙК
11:30-11:50
Изолирующие теплоотводящие основания из поликристаллического алмаза для приемопередающих модулей СВЧ
к.т.н. Смирнова Александра Константиновна, АО «НПП «Исток» им. Шокина»
11:50-12:10
III-N-гетероструктуры диаметром до 150 мм для СВЧ-транзисторов
д.ф.-м.н. Цацульников Андрей Федорович, НТЦ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ РАН
12:10-12:30
Адаптация мирового опыта применения алмаза для отечественной микроэлектроники в контексте укрепления технологического суверенитета Российской Федерации
Туев Дмитрий Владимирович, АО «Диатек»
12:30-12:50
Автоматизированный измерительный комплекс на основе улучшенной конструкции щелевого резонатора для измерения диэлектрических свойств подложек в СВЧ-диапазоне
к.т.н. Шеерман Фёдор Иванович, ООО «ТУСУР-Электроника»
13:00-15:00
ОБЕД
26 сентября 2025
09:00-09:20
Электрохимическая емкость композитных электродов на основе пористого кремния, углерода и оксида марганца (IV)
к.ф.н. Коротицкая-Седловец Дарья Михайловна, ИПТМ РАН
09:20-09:40
Композитные материалы на основе многостенных углеродных нанотрубок и полифталоцианинов для применения в гибких портативных источниках энергии
к.ф.н. Митина Алёна Александровна, ИПТМ РАН
09:40-10:00
Разработка пьезоэлектрического преобразователя энергии на основе вертикально ориентированных углеродных нанотрубок, легированных азотом
к.т.н. Ильин Олег Игоревич, Южный федеральный университет
10:00-10:20
Микроплоттерная печать полевых транзисторов на углеродных нанотрубках
к.т.н. Лизунова Анна Александровна, МФТИ
10:20-10:40
Перспективы применения углеродных наноструктур в экстремальной электронике и медицинских малоинвазивных устройствах
д.х.н. Мордкович Владимир Зальманович, НИЦ «Курчатовский институт» – ТИСНУМ
10:40-11:00
Современные методы исследований и диагностики материалов элементов ЭКБ с резистивным переключением
к.ф.-м.н. Дудин Александр Александрович, ИНМЭ РАН
11:00-11:30
КОФЕ-БРЕЙК
11:30-11:50
Оптимизация микроструктуры и свойств глубокопрокаленного глинозема для металлокерамических корпусов интегральных схем
Егошин Валерий Алексеевич, АО «Завод полупроводниковых приборов»
11:50-12:10
Зондовые и оптические технологии в задачах метрологии и инспекции современной микроэлектронной промышленности
к.ф.н. Трусов Михаил Александрович, ООО «Активная фотоника»
12:10-12:30
Новая технология германия оптического, микроэлектронного и детекторного качества
д.х.н., Корнев Роман Алексеевич, ИХВВ РАН
12:30-12:50
Мониторинг состава электролита в ванне для электрохимического осаждения меди в технологии формирования межсоединений
к.т.н. Кирюшина Ирина Васильевна, АО «НИИМЭ»
13:00-15:00
ОБЕД
Заочный докладчик
Разработка биосовместимых нанокомпозитов на основе ОУНТ и n-бутилбороновой кислоты для сенсорных приложений
Едельбекова Полина Андреевна, ИНМЭ РАН
Заочный докладчик
Стохастическая составляющая ошибки позиционирования при
формировании фотолитографического изображения
к.ф.-м.н. Шарапов Андрей Анатольевич, АО «НИИМЭ»
Развитие современной микро- и наноэлектроники требует поиска новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами и развитие новых методов диагностики. Этим задачам посвящена работа Секции №13 Российского форума «Микроэлектроника 2025» «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы».

В рамках обсуждений докладов Секции будут расширены горизонты познаний и заложены основы технологического прорыва в области фундаментальных и поисковых научных исследований.

Поиск перспективных материалов для спинтроники и фотоники, разработка новой элементной базы на основе энергоэффективных мемристоров для нейроморфных вычислений, наноэлектроника на основе 1D и 2D материалов (углеродные нанотрубки, графен и графеноподобные материалов, наностержни ZnO, AlN, GaN), создание эпитаксиальных пленок карбида кремния для микроэлектроники, разработка атомарногладких полупроводниковых пленок, резистов для технологических процессов фотолитографии, электроннолучевой, ионнолучевой литографии, рентгеновской литографии и наноимпринтинга, множество других материалов, физических подходов и технологий найдут свое отражение в работе секции №13 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы». Ведущие специалисты отрасли и исследователи-разработчики подготовили интересные доклады и готовы к широкой дискуссии с пытливой аудиторией слушателей.

Также поиск новых материалов и исследования их структурных и физических свойств неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники, так как только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике. Здесь основными методами исследований и диагностики выступают методы просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии, рентгеновской микроскопии и спектроскопии, методы нейтронографии и масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой. Данные подходы позволяют изучать не только работу элементов ЭКБ в режиме реального времени, но и исследовать влияние отдельных дефектов кристаллической структуры на работу процессоров.

Цель работы Секции – выработать в ходе дискуссии новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественной наукой и наукоемкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы создания инновационных материалов и технологий для формирования передовой микро- и наноэлектроники как одного из базовых элементов наукоемкого технологического суверенитета Российской Федерации.

#спинтроника #фотоника #мемристоры #низкоразмерные материалы и структуры #нанокомпозиты – широкозонные полупроводники #углеродные нанотрубки #графен и графеноподобные материалы #искусственные алмазы #фоторезисты #атомарногладкие полупроводниковые пленки #эпитаксиальные наноструктуры #наностержни широкозонных полупроводников
Назад к программе Научной конференции