Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.

На форуме «Микроэлектроника 2026» обсудят перспективы использования полярных материалов в микро- и наноэлектронике

На базе секции №13 «Материалы микро-  и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы» состоится круглый стол «Перспективные пьезо-  и сегнетоэлектрические материалы для микро – и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики: синтез и применение».
Цель круглого стола – выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественными наукой и наукоёмкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы получения перспективных полярных материалов и развития технологий для формирования передовых устройств микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики как одного из базовых элементов обеспечения технологического суверенитета.

Перспективы развития нано- и микроэлектроники связаны с созданием гибридных систем «пьезоэлектрик / полупроводник», которые позволяют интегрировать задачи передачи и обработки информации по электронным и оптическим каналам. Использование пьезоэлектрических материалов позволяет ускорить передачу информации между ядрами процессоров, создавать пьезогенераторы для питания микросхем и процессоров, создавать нейроморфные процессоры. Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в телекоммуникационных системах для обработки и передачи информации в режиме реального времени при использовании поверхностных и объёмных акустических волн. Большое значение такие материалы имеют для развития мобильных сетей 6G и 7G.

Не менее важную роль пьезоэлектрические материалы играют в развитии сенсорики, где необходимо создание датчиков физических величин на прямом пьезоэлектрическом эффекте или акустических резонаторах в условиях беспроводных коммуникаций.

Для развития упомянутых направлений необходим поиск не только новых подходов и решений при создании интегральных устройств акустоэлектроники и фотоники, но и новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами (высокие значения пьезоэлектрических модулей и высокие значения скоростей акустических волн). Большое развитие данное направление может получить с использованием низкоразмерных 1D-материалов (наностержни ZnO и AlN) и развитием технологий миниатюризации акустоэлектронных устройств на основе процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии.

Возможность гибридизации пьезоэлектрических и полупроводниковых материалов в перспективе откроет новую эру в микроэлектронике.

Поиск новых материалов неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники – только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике.

В ходе круглого стола предполагается обсудить следующие вопросы:
  • Подготовка кадров, базовое образование в университетах в области получения и исследования полярных материалов;
  • Методы и оборудование для производства полярных диэлектрических кристаллов;
  • Объёмные монокристаллы и низкоразмерные 1D-кристаллы;
  • Развитие методов диагностики и материаловедения полярных материалов: электронная микроскопия, рентгеновские методы исследования структуры и свойств, атомно-силовая микроскопия;
  • Сырьевая база для производства полярных материалов, исходная шихта;
  • Новые подходы в фотонике и сенсорике.

Модераторами круглого стола выступают:
  • д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович, директор ФГБУН ИПТМ РАН;
  • д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, начальник отдела АО «НИИМЭ».

Приглашены к выступлению:
  • Грачев С. Н., заместитель руководителя Департамента металлургии и материалов Минпромторга России;
  • к.т.н. Машинин О. В., БУТИС;
  • Сорокин Б. П., Курчатовский комплекс технологических исследований сверхтвердых и новых углеродных материалов, Лаборатория физической акустики и акустоэлектронных устройств;
  • д.т.н., член-корреспондент РАН Бородин В. А., ЭЗАН;
  • д.т.н. Бокарев В. П., АО «НИИМЭ».

Присоединяйтесь к дискуссии, чтобы внести вклад в развитие перспективных материалов для прогресса отечественной микроэлектроники! Следите за анонсами о зале и времени проведения мероприятия.
Форум «Микроэлектроника 2026» состоится с 27 сентября по 3 октября 2026 года на площадке площадке Научно-технологического университета «Сириус» Федеральной территории «Сириус».
Организаторами форума «Микроэлектроника 2026» выступают АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и высшего образования Российской Федерации. Генеральные партнёры – Фонд перспективных исследований (ФПИ). Образовательный партнёр – Университет «Сириус». Партнёры – Т1 Интеграция, АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей», АО НИИТМ. Генеральный информационный партнёр – АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА». Оператор Форума – Агентство деловых коммуникаций «ПрофКонференции».

Подписывайтесь на официальный MAX форума «Микроэлектроника» и социальную сеть В контакте

Материал подготовлен пресс-службой Российского форума «Микроэлектроника»