Мы используем cookie файлы, как и большинство сайтов в интернете. Гарантируем сохранность ваших персональных данных.
Вернуться назадНа пленарном заседании Форума была обсуждена ситуация с СВЧ-технологиями
Темой второго состоявшегося 25 сентября пленарного заседания юбилейного Российского форума «Микроэлектроника 2024» впервые стала «Задачи и перспективы развития технологий СВЧ». Модераторами мероприятия выступили Вадим Миннебаев (АО «Микроволновые системы») и Сергей Щербаков (АО «НПП «Исток» им. Шокина»).
В вводном слове Сергей Щербаков подчеркнул, что вопросы СВЧ-электроники впервые были вынесены на пленарное заседание
форума «Микроэлектроника». Им также посвящен и один из круглых столов в рамках деловой программы Форума.
Открыл пленарное заседание обзорный доклад д.т.н. Александра Борисова, генерального конструктора АО «НПП «Исток» им. Шокина», посвященный развитию технологий СВЧ-электроники в России. Эксперт подчеркнул, что во всем мире СВЧ-технологии отнесены к критически чувствительным, потому что они напрямую определяют тактико-технические данные радиоаппаратуры. Объем мирового рынка полупроводниковых СВЧ-приборов составил в 2023 году 5,36 млрд долл. США. Основными сферами применения СВЧ-приборов сегодня являются системы технического зрения и телекоммуникационные, включая навигацию.
В России в соответствии со Стратегией развития электронной промышленности до 2030 года планируется разработать и промышленно освоить производство ЭКБ СВЧ-диапазона с топологической нормой 45-65 нм, СВЧ монолитных интегральных схем и др., а также создать соответствующие производства.
Александр Борисов сформулировал важнейшие составляющие развития в стране СВЧ-технологий: научно-технический задел, развитие необходимых технологий, создание приборных рядов СВЧ-приборов и устройств, разработка и производство специальных конструкционных и технологических материалов, создание парка технологического, инженерного и измерительного оборудования, требуемых производственных мощностей, решение задач кадрового обеспечения. Требуется также создание Программы сквозного технологического развития, координирующих развитие этих составляющих.
Следующие два доклада были посвящены тематике твердотельной СВЧ электронной комплектующей базы.
Виктор Чалый, генеральный директор компании«Светлана-Рост», выступил с докладом «Контрактное производство твердотельной СВЧ ЭКБ. Результаты и перспективы». Он отметил, что для нашей страны контрактное производство твердотельной СВЧ ЭКБ – дело достаточно новое, «Светлана-Рост» стала первым таким предприятием в стране.
Если в 2022 году было изготовлено 13,4 тысяч кристаллов, то в прошлом году уже 98,3 тысячи, а до конца 2024-го должен быть преодолен рубеж в 138 тысяч. Спрос сегодня превышает производственные мощности фабрики.
С учетом намеченного освоения дополнительных технологических процессов предприятие планирует обеспечить к 2028 году спрос отечественных потребителей в примерно 85% номенклатуры. Решение о дальнейшем развитии производства планируется принять в 2026 году.
О сегодняшнем состоянии, перспективах и проблемах развития в нашей стране твердотельной кремниевой СВЧ-электроники рассказал генеральный директор АО «НИИМЭ» Александр Кравцов. Он пояснил, что возрастание интереса к кремниевым СВЧ-приборам во многом связано с более широким использовании в радиотехнике миллиметровых и субмиллиметровых длин волн. СВЧ ЭКБ в виде интегральных схем на основе кремния, арсенида галия, фосфида индия и ряда других работоспособна в диапазонах частот до сотен ГГц.
Докладчик рассказал о ряде полностью отечественных разработок Si КМОП интегральных схем в составе буферных усилителей, фазовращателей, аттенюаторов, коммутаторов приемо-передачи, используемых в системах радиолокации и связи. Данные микросхемы, изготавливаемые на отечественных фабриках, являются экономичными альтернативами арсенид-галиевых микросхем. Сегодня российским производителям доступна технология КНИ 90 нм. C 2023 года начато освоение технологий КНИ 90 нм RF и SiGa БиКМОП 180 нм, востребованных нашими дизайн-центрами для локализации своих разработок. В качестве перспективы для предоставления дополнительного функционала дизайн-центрам сегодня рассматриваются технологии SiGa БиКМОП 130 нм и SiGa БиКМОП 90 нм. В дальнейшем планируется осуществить совмещение технологий КНИ с SiGa БиКМОП 90 нм и переход к более низким топологическим нормам. Докладчик отметил, что сегодня отставание отечественного производства от ведущих зарубежных фирм в данной сфере является не слишком большим.
Дневник форума выходит в дни работы «Микроэлектроники 2024» на официальном RUTUBE-канале Форума.
В вводном слове Сергей Щербаков подчеркнул, что вопросы СВЧ-электроники впервые были вынесены на пленарное заседание
форума «Микроэлектроника». Им также посвящен и один из круглых столов в рамках деловой программы Форума.
Открыл пленарное заседание обзорный доклад д.т.н. Александра Борисова, генерального конструктора АО «НПП «Исток» им. Шокина», посвященный развитию технологий СВЧ-электроники в России. Эксперт подчеркнул, что во всем мире СВЧ-технологии отнесены к критически чувствительным, потому что они напрямую определяют тактико-технические данные радиоаппаратуры. Объем мирового рынка полупроводниковых СВЧ-приборов составил в 2023 году 5,36 млрд долл. США. Основными сферами применения СВЧ-приборов сегодня являются системы технического зрения и телекоммуникационные, включая навигацию.
В России в соответствии со Стратегией развития электронной промышленности до 2030 года планируется разработать и промышленно освоить производство ЭКБ СВЧ-диапазона с топологической нормой 45-65 нм, СВЧ монолитных интегральных схем и др., а также создать соответствующие производства.
Александр Борисов сформулировал важнейшие составляющие развития в стране СВЧ-технологий: научно-технический задел, развитие необходимых технологий, создание приборных рядов СВЧ-приборов и устройств, разработка и производство специальных конструкционных и технологических материалов, создание парка технологического, инженерного и измерительного оборудования, требуемых производственных мощностей, решение задач кадрового обеспечения. Требуется также создание Программы сквозного технологического развития, координирующих развитие этих составляющих.
Следующие два доклада были посвящены тематике твердотельной СВЧ электронной комплектующей базы.
Виктор Чалый, генеральный директор компании«Светлана-Рост», выступил с докладом «Контрактное производство твердотельной СВЧ ЭКБ. Результаты и перспективы». Он отметил, что для нашей страны контрактное производство твердотельной СВЧ ЭКБ – дело достаточно новое, «Светлана-Рост» стала первым таким предприятием в стране.
Если в 2022 году было изготовлено 13,4 тысяч кристаллов, то в прошлом году уже 98,3 тысячи, а до конца 2024-го должен быть преодолен рубеж в 138 тысяч. Спрос сегодня превышает производственные мощности фабрики.
С учетом намеченного освоения дополнительных технологических процессов предприятие планирует обеспечить к 2028 году спрос отечественных потребителей в примерно 85% номенклатуры. Решение о дальнейшем развитии производства планируется принять в 2026 году.
О сегодняшнем состоянии, перспективах и проблемах развития в нашей стране твердотельной кремниевой СВЧ-электроники рассказал генеральный директор АО «НИИМЭ» Александр Кравцов. Он пояснил, что возрастание интереса к кремниевым СВЧ-приборам во многом связано с более широким использовании в радиотехнике миллиметровых и субмиллиметровых длин волн. СВЧ ЭКБ в виде интегральных схем на основе кремния, арсенида галия, фосфида индия и ряда других работоспособна в диапазонах частот до сотен ГГц.
Докладчик рассказал о ряде полностью отечественных разработок Si КМОП интегральных схем в составе буферных усилителей, фазовращателей, аттенюаторов, коммутаторов приемо-передачи, используемых в системах радиолокации и связи. Данные микросхемы, изготавливаемые на отечественных фабриках, являются экономичными альтернативами арсенид-галиевых микросхем. Сегодня российским производителям доступна технология КНИ 90 нм. C 2023 года начато освоение технологий КНИ 90 нм RF и SiGa БиКМОП 180 нм, востребованных нашими дизайн-центрами для локализации своих разработок. В качестве перспективы для предоставления дополнительного функционала дизайн-центрам сегодня рассматриваются технологии SiGa БиКМОП 130 нм и SiGa БиКМОП 90 нм. В дальнейшем планируется осуществить совмещение технологий КНИ с SiGa БиКМОП 90 нм и переход к более низким топологическим нормам. Докладчик отметил, что сегодня отставание отечественного производства от ведущих зарубежных фирм в данной сфере является не слишком большим.
Дневник форума выходит в дни работы «Микроэлектроники 2024» на официальном RUTUBE-канале Форума.
***
Организаторами форума «Микроэлектроника 2024» выступают АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и образования Российской Федерации, Группы компаний «Элемент». Генеральные партнеры – ОАО «РЖД», Сбер, Фонд перспективных исследований (ФПИ), ООО «ХайТэк». Атомный партнер – Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом». Технологический партнер – АО «Крафтвэй корпорэйшн ПЛС» (торговая марка Kraftway). Инновационные партнеры – АО «ОКБ «Астрон», ООО «Лазерный центр», Компания Т8, НИУ МИЭТ, Компания OpenYard. Партнер Научной конференции – ООО «НМ-Тех». Образовательный партнер – Университет «Сириус». Стратегический информационный партнер – Генеральное информационное агентство «ТАСС». Партнеры Школы молодых учёных – Группа компаний «Элемент», Сбер, Компания YADRO. Спортивный партнер – АО «Микрон». Партнеры – АО «АИСА ИТ-Сервис», ООО «ФОРМ», ФГАОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Т1 Интеграция, НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, ООО «НПП «Итэлма», АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Российский научный фонд, АО НИИТМ, Консорциум робототехники и систем интеллектуального управления, Альянс RISC-V, Консорциум «Доверенные и экстремальные электронные системы» (НИЯУ МИФИ – АО «ЭНПО СПЭЛС»), ООО «Остек-ЭК», ООО «ПЛАНАР». Партнер воды – АО «Сигналтек». Партнер детской программы – НИУ МИЭТ. Партнер сувенирной продукции – INWAVE. Генеральный информационный партнер – АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА». Оператор Форума – Агентство деловых коммуникаций «ПрофКонференции».
Организаторами форума «Микроэлектроника 2024» выступают АО «НИИМЭ» и АО «НИИМА «Прогресс» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и образования Российской Федерации, Группы компаний «Элемент». Генеральные партнеры – ОАО «РЖД», Сбер, Фонд перспективных исследований (ФПИ), ООО «ХайТэк». Атомный партнер – Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом». Технологический партнер – АО «Крафтвэй корпорэйшн ПЛС» (торговая марка Kraftway). Инновационные партнеры – АО «ОКБ «Астрон», ООО «Лазерный центр», Компания Т8, НИУ МИЭТ, Компания OpenYard. Партнер Научной конференции – ООО «НМ-Тех». Образовательный партнер – Университет «Сириус». Стратегический информационный партнер – Генеральное информационное агентство «ТАСС». Партнеры Школы молодых учёных – Группа компаний «Элемент», Сбер, Компания YADRO. Спортивный партнер – АО «Микрон». Партнеры – АО «АИСА ИТ-Сервис», ООО «ФОРМ», ФГАОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Т1 Интеграция, НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, ООО «НПП «Итэлма», АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Российский научный фонд, АО НИИТМ, Консорциум робототехники и систем интеллектуального управления, Альянс RISC-V, Консорциум «Доверенные и экстремальные электронные системы» (НИЯУ МИФИ – АО «ЭНПО СПЭЛС»), ООО «Остек-ЭК», ООО «ПЛАНАР». Партнер воды – АО «Сигналтек». Партнер детской программы – НИУ МИЭТ. Партнер сувенирной продукции – INWAVE. Генеральный информационный партнер – АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА». Оператор Форума – Агентство деловых коммуникаций «ПрофКонференции».