Владимир Гриценко: Классическая флеш-память основана на кремниевых транзисторах с плавающим затвором

Читайте интервью докладчика Российского форума «Микроэлектроника 2026» доктора физико-математических наук, главного научного сотрудника ИФП СО РАН Владимира Гриценко в ИЗВЕСТИЯХ. Автор интервью: Андрей Коршунов

Российские ученые предложили технологию создания чипов флеш-памяти, устойчивых к космической радиации. В ее основе – специальные пленки с дефектами-«ловушками», которые удерживают электроны. Накопленный таким образом заряд позволяет хранить информацию. В перспективе такие устройства можно будет применять в орбитальных дата-центрах, космических кораблях с ядерным источником энергии и атомных станциях на других планетах. Разработка также открывает возможности для создания суперкомпьютеров в космосе. По мнению экспертов, у российских ученых есть серьезные достижения в области чипов памяти нового поколения. Однако для их серийного производства нужны инвестиции в фабрики, оборудование, материалы и подготовку специалистов.

Новые технологии флеш-памяти

Ученые из Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН предложили технологию, которая поможет создавать чипы долговременной флеш-памяти, устойчивые к космической радиации. Такие устройства, в частности, могут пригодиться для развития орбитальных дата-центров – комплексов для хранения и обработки данных в космосе. Исследования проводятся при поддержке Российского научного фонда.