СЕКЦИЯ №4

Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники

30 сентября – 2 октября 2026 Университет «Сириус»

Руководитель секции

Шелепин Николай Алексеевич

Доктор технических наук,
профессор, НИУ МИЭТ

Заместитель руководителя секции

Путря Михаил Георгиевич

Доктор технических наук,
профессор, НИУ МИЭТ

Заместитель руководителя секции

Резванов Аскар Анварович

Кандидат физико-математических наук,
начальник отдела физико-технологических исследований АО «НИИМЭ»

Секция №4 «Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники» охватывает тематику технологий и компонентов микро- и наноэлектроники:

— технологии изготовления интегральных микросхем;
— технологии изготовления полупроводниковых приборов;
— компоненты интегральных микросхем;
— применение новых материалов в технологии изготовления микросхем и полупроводниковых приборов;
— технологические процессы в технологии интегральных микросхем и полупроводниковых приборов;
— технологии интеграции элементов кремниевых ИС и СВЧ компонентов А3В5;
— электрофизические характеристики компонентов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Программа Секции №4
В программе возможны изменения

30 сентября 2026

09:00-09:20

Итоги мирового рынка полупроводников 2025 и ключевые события в крупнейших компаниях
д.т.н. Шелепин Николай Алексеевич, НИУ МИЭТ

09:20-09:40

Надёжность силовых полупроводниковых приборов паяной конструкции: механизмы деградации, методология ресурсных испытаний и конструктивно-технологические пути повышения ресурса
Ставцев Александр Валерьевич, АО «Протон-Электротекс»

09:40-10:00

Статус реализации технологии кремниевого интерпозера для технологий 2,5D и 3D-интеграции
Веретенников Денис Александрович, АО «ЗНТЦ»

10:00-10:20

Технология автоматизированной сборки полупроводниковых приборов в малогабаритных металлокерамических корпусах
Пилипец Иван Васильевич, АО «НИИПП»

10:20-10:40

Состав типовой оценочной схемы для комплексного мониторинга ключевых механизмов деградации и прогнозирования надёжности конечного продукта
к.т.н. Соловьев Андрей Владимирович, АО «НИИМЭ»

10:40-11:00

«Тезис-Интехна»: Передовые решения в области ИС смешанных сигналов и измерительных систем
Шерстяных Дмитрий Вадимович, ЗАО «Тезис-Интехна»

11:00-11:30

КОФЕ-БРЕЙК

11:30-11:50

Разработка каталитически-сорбционных технологий очистки на основе отечественных катализаторов и сорбентов для создания регенерируемых финишных очистителей и установок очистки
к.х.н. Попенко Виталий Фёдорович, ООО «Элточприбор»

11:50-12:10

ОНЛАЙН
Исследование процесса формирования плёнок силицида титана на кремниевых кантилеверах электросиловой микроскопии
Соколов Андрей Максимович, АО «Ангстрем»

12:10-12:30

Аддитивное производство функциональных узлов электроники: переход от подложки для монтажа к интегрированной топологии
Юшин Денис Игоревич, РТУ МИРЭА

12:30-12:50

Сравнение эффективности программирования и скорости деградации логических состояний структур энергонезависимой памяти SONOS, сформированных на базе транзисторов 1,8В и 5В
Червонный Дмитрий Владимирович, АО «НИИМЭ»

13:00-15:00

ОБЕД

1 октября 2026

09:00-09:20

Оптимизация процесса безмасковой фотолитографии для изготовления волноводов тонкоплёночного ниобата лития
Желтиков Владимир Александрович, Сколтех

09:20-09:40

ОНЛАЙН
Применение оптимальной картографической проекции Чебышёва для решения обратных задач фотолитографии
д.ф.-м.н. Гаранжа Владимир Анатольевич, ФИЦ ИУ РАН

09:40-10:00

Технология использования многоуровневой SRAF оптимизации рисунка ФРМ в конвейере ILT в целях расширения окна процесса
к.ф.-м.н. Фёдоров Игорь Юрьевич, ПАО Сбербанк

10:00-10:20

Разработка технологии получения профиля позитивного фоторезиста с отрицательным углом наклона стенок
Телеганов Максим Игоревич, OOO «МАППЕР»

10:20-10:40

Исследование оптических характеристик позитивных i-line фоторезистов
Платонов Данил Дмитриевич, OOO «МАППЕР»

10:40-11:00

Влияние пристенного скольжения на заполнение микро- и наноразмерных полостей при наноимпринтной литографии
к.ф.-м.н. Кравченко Игорь Витальевич, ФИЦ ПХФ и МХ РАН

11:00-11:30

КОФЕ-БРЕЙК

11:30-11:50

Исследование процесса плазменного травления α-Si для МЭМС-применений
Соловьёв Анатолий Александрович, OOO «МАППЕР»

11:50-12:10

Разработка и постановка на производстве медной металлизации на основе двойного дамасского процесса для КМОП-технологий уровня 130-90 нм и ниже
Игнатьева Анастасия Валерьевна, НМ-Тех

12:10-12:30

Измерение величины адгезии и механических свойств Low-K диэлектриков в технологическом цикле производства КМОП-изделий
Волоховский Александр Дмитриевич, НМ-Тех

12:30-12:50

Применение аддитивных технологий в микроэлектронике
Лавренов Владимир Александрович, НИУ МИЭТ

13:00-15:00

ОБЕД

2 октября 2026

09:00-09:20

ГетероструктурныеAlGaAs/GaAs n-p-n-транзисторы типа АТ701 для высоковольтной быстродействующей электронной аппаратуры
Прокофьев Сергей Михайлович, АО «Орбита»

09:20-09:40

Разработка и постановка отечественной высоковольтной BCD-технологии для нужд автомобильной электроники
и беспилотных систем
Лапин Александр Евгеньевич, НМ-Тех

09:40-10:00

Мощные СВЧ транзисторы АО «НИИЭТ» для средств связи, радиолокации и РЭБ
к.т.н. Семейкин Игорь Валентинович, АО «НИИЭТ»

10:00-10:20

Производство ЭКБ на нитриде галлия на кремнии: практические результаты и перспективы
Шаймарданова Оксана Ринатовна, АО «ЗНТЦ»

10:20-10:40

Особенности конструкции и технологии производства кристаллов для кремниевой силовой ЭКБ. Технология лазерного отжига и её применение в силовой электронике
Романов Дмитрий Александрович, ООО «ССТ»

10:40-11:00

Формирование буферного стоп-слоя для кремниевых приборов с использование передовой технологии имплантации, лазерного отжига и радиационно-термической обработки
Вренев Ярослав Андреевич, ООО «ССТ»

11:00-11:30

КОФЕ-БРЕЙК

11:30-11:50

Применение полуметаллов для высокочастотных транзисторов Дирака
Желюков Илья Михайлович, ООО «Научные приборы и системы»

11:50-12:10

Смена парадигмы: почему SiC вытесняет Si в силовой электронике
Иванов Владимир Игоревич, ООО «ТТМ»

12:10-12:30

Ионные источники Пеннинга с холодным катодом для ионной имплантации в SiC-технологии
к.т.н. Четвергов Михаил Владимирович, АО «НПП «ЭЛАР»

12:30-12:50

Особенности технологических процессов изготовления малошумящих транзисторов на основе AlGaN/GaN HEMT X – диапазона частот
к.ф.-м.н. Шутов Дмитрий Геннадьевич, АО «НПП «Пульсар»

13:00-15:00

ОБЕД

Заочный доклад

Процесс электрохимического осаждения для сквозных межсоединений (TSV) – ключ к развитию полупроводниковой промышленности
Суханов Дмитрий Александрович, ООО «Остек-ЭК»

Повышайте квалификацию на Российском форуме «Микроэлектроника»: дополнительное развитие с пользой и перспективами!

Всем зарегистрированным участникам Российского форума «Микроэлектроника» предлагается по желанию пройти расширенную программу повышения квалификации (дополнительного профессионального образования – ПК ДПО) и получить новый образовательный опыт.

Подробнее о программе повышения квалификации на базе НИУ МИЭТ →

Если вы участник Секции №4 в вашем Личном кабинете участника имеется возможность зарегистрироваться на обучение, выбрав программу от одного из ведущих организаций-поставщиков образовательных услуг НИУ МИЭТ.

Для прохождения программы повышения квалификации «Основные направления развития отечественной электронной компонентной базы и средств её проектирования и производства» необходимо посещение Предконференции №2 и одной из секций на выбор – Секции №3, №4, №8, №11 научной конференции «ЭКБ и микроэлектронные модули» форума «Микроэлектроника».

Программа разработана в Передовой инженерной школе «Средства проектирования и производства электронной компонентной базы».

Форма обучения: очно-заочная.

Докладчики Форума получат преимущества при прохождении итоговой аттестации.

Назад к программе Научной конференции